额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 70mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 70mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | UMT3 |
DTC114YUAT106产品概述
DTC114YUAT106是一款高性能的NPN预偏置数字晶体管,专为电子设备中的开关和放大应用而设计。该元件由著名的半导体制造商ROHM(罗姆)生产,采用高效的表面贴装型(SMD)封装,型号为UMT3(SC-70/SOT-323),非常适合高密度电路设计及便携式电子产品。此晶体管在保持低功耗的同时,提供优良的电流增益和频率响应,满足现代电子设计的需求。
DTC114YUAT106适合用于多种电子电路,包括:
DTC114YUAT106采用UMT3封装,属于表面贴装型(SMD)设计,适合自动化生产线的快速安装。同时,其小巧的封装降低了电路板空间的占用,适合于便携式及微型电子设备,如智能手机、可穿戴设备及其他消费电子产品。
DTC114YUAT106是一款出色的NPN晶体管,凭借其高功率、高频率及优良的电流增益特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。其广泛的应用潜力及小型化的封装设计,使之成为开发者理想的选择,无论是在新产品开发还是在现有产品的改进中,均能为用户提供可靠的性能和灵活的设计空间。通过合理的设计应用,DTC114YUAT106能够为各种电路系统提供优质的解决方案。