存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 2Mb (128K x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 55ns |
访问时间 | 55ns | 电压 - 供电 | 2.5V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
IS62WV12816BLL-55TLI是一款由美国芯成(ISSI)制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。作为一款易失性存储器,该芯片具有2Mb的存储容量(128K x 16位),并采用44引脚的TSOP II封装,广泛应用于电子设备需要快速随机访问存储的场合。其优异的访问时间和写周期时间使其适合用于高性能计算和数据存储。
IS62WV12816BLL-55TLI所采用的异步SRAM技术意味着其不需复杂的时钟信号,从而简化了系统设计并提高了系统稳定性。这种类型的SRAM特别适合在对存取速度要求较高的应用中,如缓存存储、图象处理、网络数据包存储等场景。
此外,其支持的供电电压范围及工作温度范围使其能够广泛应用于各种工业设备、电信设备以及便携式电子设备中。
IS62WV12816BLL-55TLI的应用非常广泛,包括但不限于:
总的来说,IS62WV12816BLL-55TLI作为一款性能稳定的异步SRAM,不仅具有良好的数据存储能力和快速响应时间,而且具备广泛的工作温度和供电电压适应性。其封装形式便于现代电子设备的集成设计,适用于众多高性能、中等容量的应用场景,是电子设计工程师和应用开发者处理数据存储需求的理想选择。