IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 205mΩ @ 7.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 66W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 205 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR5410TRPBF手册
IRFR5410TRPBF概述
IRFR5410TRPBF 产品概述
IRFR5410TRPBF 是一款由英飞凌 (Infineon) 出品的高性能 P沟道 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电源设计中。该元器件采用TO-252-3（DPAK）封装，具有优良的散热性能和机械强度，适合表面贴装(SMD)技术。这款MOSFET的主要特点包括高耐压、高电流承载能力以及宽广的工作温度范围，使其在各种电路设计中表现出色。
主要参数
漏源电压（Vdss）: IRFR5410TRPBF 的漏源电压可高达100V，适合多种高压应用，包括电源开关、电机驱动和大功率负载控制等。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境条件下，该元器件能够承载连续漏极电流13A，适合高功率应用。此外，它的最大功率耗散在25°C环境下达66W，显示出良好的热管理能力。
导通电阻（Rds On）: 在7.8A及10V的栅源电压下，该MOSFET的漏源导通电阻为205毫欧，表明其具有较低的导通损耗，有助于提高系统效率并降低热量产生。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该元器件的栅源极阈值电压为4V @ 250 µA，此特性使得它在较低的栅源电压下就能迅速导通，从而提高开关频率及响应速度。
栅极电荷（Qg）: 在10V的栅源电压下，栅极电荷为58nC，较低的栅极驱动电荷有利于实现快速开关，降低驱动电路的功耗。
输入电容（Ciss）: 在25V时，该器件的输入电容最大为760pF，表明其良好的高频特性，在快速开关环境中表现更加优秀。
工作温度范围: IRFR5410TRPBF支持-55°C至150°C的工作温度范围，适合各种工业和汽车应用环境。
应用场景
IRFR5410TRPBF 被广泛应用于多种场合，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其优异的导电性能和低导通电阻，适用于AC-DC和DC-DC转换器中的开关元件。
- 电机驱动: 在电动机控制系统中，IRFR5410TRPBF能够在切换速度和功率密度上表现出色，适合步进电机和直流电机的驱动。
- 电源管理: 适合用于负载开关、过流保护等功能，与其他元器件组合可实现高效的电源管理方案。
- 汽车电子: 考虑其宽泛的工作温度范围和高耐压能力，可以在汽车的功率控制系统中提供可靠的解决方案。
结论
总的来说，IRFR5410TRPBF 是一款高效可靠的 P沟道 MOSFET，凭借其优越的电流承载能力、导通性能和高温稳定性，适合各种高性能应用。英飞凌作为全球领先的半导体供应商，确保了这一系列产品在质量和可靠性上的卓越表现，为设计工程师在电源解决方案开发中提供了强大的支持和灵活性。无论在消费类电子、工业自动化还是车辆电气系统中，IRFR5410TRPBF 都是一个值得选择的可靠组件。