IRFR4620TRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR4620TRLPBF

商品编码: BM0000281218
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.368g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 144W 200V 24A 1个N沟道 TO-252
库存 :
9884(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.57
--
100+
¥2.97
--
750+
¥2.76
--
1500+
¥2.62
--
3000+
¥2.5
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR4620TRLPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)78 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1710pF @ 50V
功率耗散(最大值)144W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR4620TRLPBF手册

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IRFR4620TRLPBF概述

IRFR4620TRLPBF 产品概述

一、产品简介

IRFR4620TRLPBF 是一款由英飞凌公司(Infineon Technologies)生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件专为高电流与高电压应用设计,其具有优异的导通性能与散热能力,是多种电子线路设计中不可或缺的组件。它的关键参数包括200V的漏源电压(Vds)、24A的连续漏极电流(Id)和144W的最大功率耗散能力,适用于需要高效能和可靠性的多种应用场景。

二、关键技术参数

  1. FET 类型:N 通道,适合用于低侧开关和高侧开关布局。
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物),具有较高的输入阻抗和快速开关特性。
  3. 漏源电压(Vdss):200V,为高压电路提供了足够的头部裕度。
  4. 连续漏极电流(Id):25A(Tc),确保在高负载情况下也能稳定工作。
  5. 导通电阻(Rds On):在10V的驱动电压下,最大为78毫欧(@15A),低导通电阻可以有效降低功耗和发热。
  6. 开启电压(Vgs(th)):在100µA的测试条件下,最大值为5V,适合于各种驱动电路。
  7. 栅极电荷(Qg):在10V下最大为38nC,表现出较高的开关效率。
  8. 输入电容(Ciss):在50V下最大为1710pF,支持快速的开关操作。
  9. 工作温度范围:-55°C ~ 175°C,适应严苛的工作环境。
  10. 封装类型:表面贴装型(D-Pak),TO-252-3封装,便于自动化组装和热管理。

三、应用领域

IRFR4620TRLPBF 的设计使其广泛应用于多个方向,包括但不限于:

  • 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器等设备中用作开关元件,提高能量转换效率。
  • 电动机驱动:作为电动机驱动电路中的开关元件,支持高效的功率传输和控制。
  • 不间断电源(UPS):在不间断电源中负责控制电流的流向,提供稳定的电能输出。
  • 电池管理系统:在电池充电和放电管理中,用于快速切换,保障充放电的安全与高效。
  • LED 驱动:在LED照明系统中作为开关元件,提高亮度和能效。

四、特点与优势

  • 高效率:低 Rds On 降低了功耗,提升了整体能效,适合长时间工作在高负载条件下。
  • 广泛的工作温度:可在极端温度条件下持续工作,适应各种应用环境。
  • 节能特性:通过快速的开关性能和低导通损耗,提高了系统的整体效率,适合现代节能型设备。
  • 适应性强:该器件适合多种电子产品的开发和设计,包括消费电子、工业控制、汽车电子等。

五、总结

IRFR4620TRLPBF 是一款功能齐全的 N 通道 MOSFET,体现了优良的性能与可靠性。其强大的额定参数以及多种应用场景使得它成为设计中一个理想的选择。在未来的电子设计中,IRFR4620TRLPBF 将在功率管理和控制方面继续发挥重要的作用,助力各种创新电子产品的开发。