IRFP9240PBF
IRFP9240PBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP9240PBF手册
IRFP9240PBF概述
IRFP9240PBF 产品概述
IRFP9240PBF 是由 VISHAY（威世）生产的一款高性能 P 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和高可靠性，专为高功率和高电压应用而设计。其主要参数包括最大漏源电压（Vdss）为 200V、最高连续漏极电流（Id）为 12A、功率耗散能力达 150W，这些特性使该器件在电力电子、开关电源、变频器以及电动汽车等广泛应用场景中具有极高的吸引力。
主要规格参数
漏源电压（Vdss）: IRFP9240PBF 的最大漏源电压为 200V，这让它能够安全地处理高电压系统中的电流，适用于需要高电压操作的应用场合。
连续漏极电流（Id）: 该器件在 25°C 时的最大连续漏极电流为 12A，这使其能够在规定的温度条件下稳定工作，为电路设计提供高度的灵活性。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，IRFP9240PBF 的最大导通电阻为 500mΩ（在 7.2A 时测得）。这一参数极为重要，因为它直接影响到功率损耗和温升，低导通电阻确保了 MOSFET 在工作时能量损失最小，提升了电路的整体效率。
栅极源阈值电压（Vgs(th)）: 对于不同的漏极电流和栅极驱动条件，该器件的最大栅极源阈值电压为 4V（在 250μA 下测得），这让设计者容易控制器件的开关状态。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动电压下，IRFP9240PBF 的最大栅极电荷为 44nC，这意味着器件能够快速响应于栅极信号，有效提高开关频率，减少开关损失。
输入电容（Ciss）: 在 25V 的工作条件下，器件的最大输入电容为 1200pF，这一特性在频率较高的应用中表现尤为重要，能够保证在高频切换时的稳定性。
工作温度范围: IRFP9240PBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保了它在严苛环境下的可靠性。这使其理想用于工业、汽车等需要耐高温或耐极端气候的应用场合。
封装与安装
IRFP9240PBF 采用 TO-247AC-3 封装，这是一种适合大功率应用的常见封装类型。TO-247 封装的设计使得器件能够更有效地散热，适合用于电源模块和驱动器等高功率密集的电路设计。通孔安装方式进一步简化了焊接和布局设计，提供用户卓越的组装便利性。
应用领域
IRFP9240PBF 由于其高电压和高功率特性，适用于多种电源转换与控制应用。例如：
- 开关电源: 提供高效能的电流管理，减少功率损耗。
- 电机驱动: 用于直流电机和步进电机控制，确保可靠的启停与调速性能。
- 电动汽车: 在电池管理系统和驱动器中执行重要的开关操作。
- LED 驱动: 用于高功率 LED 应用中，实现精准的亮度控制。
总结
IRFP9240PBF 是一款高效、可靠的 P 沟道 MOSFET，具备出色的电气性能和广泛的应用适应性。其高漏源电压、低导通电阻和可承受高电流特性使其成为各种电子电路设计中不可或缺的元器件。在现代电力电子技术的不断发展中，IRFP9240PBF 将继续扮演着重要的角色，为各种高效应用提供强有力的支持。