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IRFP460BPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.128g
描述 :
场效应管(MOSFET) 278W 500V 20A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.83按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.83
--
10+
￥6.53
--
500+
￥6.22
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP460BPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 278W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 170nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3094pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 278W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP460BPBF手册
IRFP460BPBF概述
产品概述：IRFP460BPBF
概述
IRFP460BPBF 是一款高性能的 N-沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流应用而设计。这款MOSFET具有卓越的导电性能和高功率处理能力，适用于多种电源管理和开关应用。由于其出色的工作参数，IRFP460BPBF在工业、电力电子和电机控制领域得到了广泛应用。
主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 20A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 250mΩ @ 10A，10V
- 最大功率耗散（Pmax）: 278W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-247AC
性能特点
高电压和电流处理能力： IRFP460BPBF 可在高达500V的漏源电压下工作，并且在标准工作条件下拥有20A的连续漏极电流能力，适用于要求超过一般MOSFET的应用场合。
低导通电阻： 该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为250毫欧，这意味着在导通状态下能够有效降低能量损耗，提升整体电路效率。这一特性尤其适合于高功率应用，如电动机驱动和电源开关。
广泛的温度适应性： IRFP460BPBF 在极端温度下仍能稳定工作，能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠运行，这使得其广泛应用于汽车、工业和航空等领域。
优秀的开关特性： 最大栅极电荷 (Qg) 为170nC，这意味着在高频开关应用中，该MOSFET 可实现快速的开关响应，显著提升了开关频率和效率。
封装： TO-247AC封装设计提供良好的热管理能力，使得该器件在高功率条件下能够安全运行，并便于散热设计。
应用领域
IRFP460BPBF 的性能特点使其适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源转换器和逆变器：在高压直流到交流电源转换中，MOSFET的高效导通和低能量损耗显得尤为重要。
- 电机驱动：在电机控制系统中，该型号凭借其优秀的电流处理能力和开关性能，适用于工业电机控制。
- 高频开关电源：在要求高频率工作和高能效的电源设计中，使用IRFP460BPBF可以有效提高系统效率。
- 电动汽车和混合动力汽车：该器件可用于电动汽车的驱动系统，提供高效的功率转换和控制。
结论
IRFP460BPBF 是一款兼具高电压、高电流和低导通电阻的 N-沟道MOSFET，凭借其在多种应用中的出色表现，成为电源管理和控制领域的重要元器件。无论是在电源设计、电机驱动还是汽车电子方面，IRFP460BPBF均展示了其卓越的适用性和性能表现，适合严苛的工作环境和高效的应用需求。如需进一步了解产品详情或需要技术支持，请联系 VISHAY(威世) 相关渠道。