IRFD9120PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
4-DIP（0.300"，7.62mm）
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1A 1个P沟道 HVMDIP-4
库存 :
11142(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
4.02按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.02
--
100+
￥3.36
--
1250+
￥3.05
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFD9120PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 600mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 600mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 390pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP | 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
IRFD9120PBF手册
IRFD9120PBF概述
产品概述：IRFD9120PBF P沟道MOSFET
产品简介
IRFD9120PBF是一款高性能P沟道MOSFET，具有出色的电气特性和热性能，特别适合低功率开关和信号处理应用。这款器件由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）出品，具有丰富的应用场景，包括用于电源管理、负载开关以及替换传统的BJT（双极晶体管）。
关键特性
- 漏源电压（Vdss）: 此器件的额定漏源电压高达100V，能够应对多种高电压应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，IRFD9120PBF能够提供1A的连续漏极电流，保证了其在实际工作中的稳定性和可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）: 该器件在10V的栅源电压和600mA漏极电流下，其导通电阻为600mΩ，表明其低功耗和高效率特性，这对于提升电路整体性能及降低功耗具有重要意义。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其阈值电压为4V @ 250µA，使得MOSFET能够在相对较低的控制电压下开关，进一步简化电路设计。
- 驱动电压: 最大Rds On和最小Rds On的驱动电压为10V，适合大多数逻辑电平驱动电路。
- 输入电容（Ciss）: 在25V时，其输入电容（Ciss）为390pF，能够有效降低开关损耗，从而提高开关频率。
- 工作温度范围: IRFD9120PBF能够在-55°C到175°C的广泛温度范围内工作，确保其在苛刻环境下的可靠性。
- 功率耗散: 最大功率耗散为1.3W（Ta=25°C），为高效散热设计提供了依据。
- 封装类型: 该器件采用了4-DIP封装，尺寸为0.300"（7.62mm），适用于通孔安装，便于集成于多种电路板设计。
应用场景
IRFD9120PBF适用于多个行业的各项应用，由于其高电压、高电流能力和强大的导通性能，使其非常适合以下场景：
- 电源管理: 主要用于开关电源、DC-DC变换器及无源PFC电路，这些应用中对MOSFET的高效性能和耐压能力要求较高。
- 负载开关: 在传统的负载开关电路中，IRFD9120PBF能够有效地控制电流，保持低的开关损耗，提升整个设备的效率。
- 信号开关: 适合用于音频和视频信号的开关，这种场合下需要极低的噪声和失真。
- 电池管理系统: 由于其低导通电阻，该MOSFET在电池充放电过程中表现出色，提高电池的使用效率。
结论
IRFD9120PBF P沟道MOSFET凭借其卓越的技术规格和可广泛应用的能力，成为电子设计工程师和开发人员在选择高效开关元件时的理想选择。无论是在电源管理、负载开关还是其他要求高性能的应用中，它都能提供可靠的解决方案，助力于更高效的电子系统设计。凭借VISHAY的品牌知名度和产品质量，IRFD9120PBF为您的设计带来信心和保障。