IRFBE30PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 800V 4.1A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
2184(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.04按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.04
--
100+
￥4.02
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBE30PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3Ω @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBE30PBF手册
IRFBE30PBF概述
IRFBE30PBF 产品概述
概述
IRFBE30PBF 是一款高性能的N沟道MOSFET，由VISHAY（威世）公司生产，专为高电压与高功率应用而设计。其封装类型为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于对功率有较高要求的电路。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域，凭借其卓越的参数特性，能够在严苛的工作环境中维持卓越的性能。
主要技术参数
漏源电压 (Vdss): 800V
- IRFBE30PBF 具备高达800V的漏源电压能力，使其能够在高压应用中稳定运行，减少电路故障风险。
连续漏极电流 (Id): 4.1A @ 25°C
- 在25°C环境温度下，该MOSFET能够承载最大4.1A的连续漏极电流，适合需要中等电流输出的设备。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
- 该品号具有相对低的阈值电压，表明其在较低的驱动电压下就能实现导通，便于与各种控制电路兼容。
导通电阻 (Rds(on)): 3Ω @ 2.5A, 10V
- 在2.5A、10V的条件下，漏源导通电阻为3Ω，有助于提高工作效率，减少在导通状态下的功耗。
最大功率耗散: 125W （Ta = 25°C）
- 该MOSFET支持高达125W的最大功率耗散，适合要求较高功率处理能力的应用，无需担心过载引发的损害。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- IRFBE30PBF的宽广工作温度范围，使其适合在各种环境条件下工作，从极低温到高温环境均可保持稳定性能。
栅极电荷 (Qg): 78nC @ 10V
- 较低的栅极电荷使得此器件在开关操作时更为快速、有效，这在高频操作中尤为重要。
封装与安装
IRFBE30PBF采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，约能够支持较高的功率损耗，同时方便通过通孔方式进行焊接。在电路板上安装时，该种封装形式有助于有效利用空间，并确保器件散热良好，持续提供性能。
应用领域
IRFBE30PBF的设计参量使其适用于多种应用，例如：
- 开关电源：在高压应用中，能够高效地切换状态，支持高频率开关操作，提升整体能效。
- 电机驱动：其稳定的驱动性能和高电流能力，使其成为电机控制电路的理想选择。
- 逆变器：在太阳能逆变器与其他类型的逆变器中，所需的高压和高电流能力能够有效提供。
结论
IRFBE30PBF是一款功能全面的高压N沟道MOSFET，拥有出色的电气特性和广泛的应用范围。其可在多种严苛环境下稳定运行，使其成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。无论在开关电源、电机驱动还是逆变器领域，IRFBE30PBF均能有效提升系统的性能与可靠性。