IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 520mΩ @ 6.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 170W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 520 毫欧 @ 6.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1423pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB11N50APBF手册
IRFB11N50APBF概述
产品概述：IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。此 MOSFET 在设计中采用了先进的技术，具有出色的电气特性，广泛应用于各种高压、电流和功率的电力电子设备中。
主要技术规格
漏源电压（Vdss）: IRFB11N50APBF 的漏源电压额定值高达 500V，使其能够在高压应用中稳定运行。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，该器件能承受最高达 11A 的连续漏极电流，确保其在各类电流传输场景中表现优异。
导通电阻(Rds(on)): IRFB11N50APBF 在 10V 驱动电压下，6.6A 电流时的导通电阻为 520mΩ。这一低导通电阻值有助于降低功率损耗，这对于高效率电源设计尤为重要。
最大功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散能力达到 170W（当芯片温度 Tc 为 25°C 时），使其在大功率应用中具备良好的热管理特性。
栅源阈值电压（Vgs(th)）: 对于驱动电路，IRFB11N50APBF 的栅源阈值电压为 4V（在 250µA 下），这意味着其在较低的栅压下就可以能够有效开启，简化了驱动电路的设计。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 52nC，低栅电荷值有助于提高开关速度和效率。
工作温度: 此器件支持宽工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使其适用于严苛的环境条件。
封装: IRFB11N50APBF 采用 TO-220AB 封装，适合通孔安装，便于散热和布线，增加了设计灵活性。
应用场景
IRFB11N50APBF 的高压和高电流能力，使其在许多领域都有广泛的应用，主要包括但不限于：
开关电源: 在用于 AC-DC 转换及 DC-DC 转换的开关电源中，IRFB11N50APBF 可以有效地提高转换效率，并降低电能损耗。
电动汽车: 由于其高耐压和大电流能力，该 MOSFET 可以用于电动汽车的驱动系统，确保可靠运行。
工业控制: 在工业自动化设备中，IRFB11N50APBF 被应用于驱动电机和其他高功率负载，以实现高效能和可靠控制。
LED 照明驱动: 该器件也可用于 LED 驱动器中，提升整个照明系统的性能和效率。
结论
总体而言，IRFB11N50APBF 是一款强大的 N 沟道 MOSFET 解决方案，具有高耐压、低导通电阻和宽温度范围等特性，适合多种高性能电力电子应用。通过采用此 MOSFET，设计工程师可以在满足高效能要求的同时，确保设备的可靠性和稳定性。随着电源技术和电子设备的发展，IRFB11N50APBF 将继续发挥其重要角色，为电力电子领域带来更多创新动力。