IRF9540PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.9g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 100V 19A 1个P沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.88按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.88
--
100+
￥3.91
--
1000+
￥3.62
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF9540PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 19A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 200mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 11A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF9540PBF手册
IRF9540PBF概述
IRF9540PBF 产品概述
概述
IRF9540PBF 是一款由威世半导体（VISHAY）制造的高性能 P-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要参数包括最大漏源电压为 100V、连续漏极电流为 19A，以及可耗散的功率高达 150W。该器件采用 TO-220AB 封装，适合多种工业和消费电子应用。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 100V 的电压，这使得 IRF9540PBF 可用于高压电路设计。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下，设备的连续漏极电流额定值为 19A，使其在许多高功率应用中非常有效。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 11A 和 10V 驱动电压条件下，其漏源导通电阻为 200mΩ。这一低电阻设计能够有效减少导通损耗，提升电源转换效率。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该值为 4V @ 250µA，表明在该电压下，MOSFET 将开始导通，适合低电平驱动。
- 驱动电压: 最大驱动电压为 10V，确保了最佳导通性能。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 150W（Tc），使其适合高热载荷的运行环境。
- 工作温度范围: 该元件能够在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作，为在严酷环境中应用提供了保障。
应用场景
IRF9540PBF 可用于各种应用，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高效能和低导通电阻，适合用于高频开关电源。
- 电机控制: 适合用于直流电机的控制和驱动电路。
- 电池管理系统: 可用于电池组的均衡、充电和放电管理。
- 照明控制: 包括LED驱动器以及其他灯光控制应用。
- 功率放大器: 在音频和射频应用中，可满足功率放大需求。
封装与设计适配
IRF9540PBF 采用 TO-220AB 封装。这种封装形式提供了良好的散热性能和易于安装的特性，通孔设计使其能够轻松集成到各种电路板设计中。此外，TO-220AB 封装的尺寸和布局使之适合于更高功率密度的设计。
结论
综上所述，IRF9540PBF 是一款性能卓越、应用广泛的 P-沟道 MOSFET，凭借其高电压、低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的功率耗散能力，为设计工程师和市场提供了可靠的选择。无论是在工业自动化、高效电源管理，还是消费电子产品中，IRF9540PBF 都能发挥其强大的性能优势。相关设计人员可以根据其性能参数，将该产品整合到各自的电路设计中，以实现更高的整体系统效率和更优异的控制能力。