IRF840STRLPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.1W；125W 500V 8A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
934(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.57按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.57
--
100+
￥5.24
--
800+
￥4.86
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12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF840STRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 850mΩ @ 4.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF840STRLPBF手册
IRF840STRLPBF概述
IRF840STRLPBF 产品概述
IRF840STRLPBF 是一款由VISHAY（威世）生产的高性能N沟道MOSFET，这款器件在电力电子、开关电源和电机控制等领域具有广泛的应用。作为一款功率MOSFET，IRF840STRLPBF 具有高漏源电压和连续漏极电流，使其能够高效地处理各种电力应用中的高电压和高电流需求。
主要规格与参数
- 漏源电压 (Vdss): 本产品的漏源电压高达500V，使其适合在高电压环境中使用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，IRF840STRLPBF的连续漏极电流可达8A，这为其在大功率应用中提供了必要的承载能力。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为4V @ 250µA，确保在较低的栅极驱动电压下即可实现良好的开启性能。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): IRF840STRLPBF的漏源导通电阻为850mΩ @ 4.8A, 10V，这一特性使得器件在导通时能以极低的电阻实现高效能量传输，减少功耗和发热。
- 功率耗散: 在25°C的条件下，最大功率耗散为3.1W，而在热量集中（Tc）下可达到125W，显示了其优良的散热性能。
工作环境与封装
IRF840STRLPBF采用D2PAK封装，这种表面贴装型（SMD）设计便于在紧凑空间中高效安装，且有助于改善热管理。它的工作温度范围为-55°C到150°C，使其可在极端环境条件下稳定运行，适合工业、汽车及航空航天等严苛条件下的应用。
应用领域
- 开关电源: IRF840STRLPBF 可用于各种开关电源模块，负责高效的电能转换和稳压。
- 电机控制: 由于其高电流处理能力，该MOSFET可应用于直流电机及步进电机的驱动电路中。
- 电源管理: 在电源管理应用中，它可用作负载开关、课电路保护以及过载保护方案中。
- 电力转换: 本产品可用于逆变器应用，尤其是在可再生能源系统如太阳能和风能中的功率转换环节。
设计与兼容性
工程师在设计电路时，可以利用IRF840STRLPBF的多项技术参数来优化电路性能。较低的导通电阻让设计师在设计中考虑高效率的电源，同时，高耐压特性则可避免在高电压应用中的击穿风险。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为63nC @ 10V，提供了优良的开关速度，因此在高频操作中表现突出。
结论
IRF840STRLPBF作为一款可靠、功能强大的N沟道MOSFET，以其出色的电气性能和宽广的应用范围，已经成为电力电子工程师的优选器件。其在高电压和高电流应用中的优越表现，使其在现代电子设备和电力系统中不可或缺。无论是在开关电源、电机控制，还是其他高功率应用中，IRF840STRLPBF都能够提供稳定、有效的解决方案。