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IRF7410TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.167g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 12V 16A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
12170(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.42按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.42
--
100+
￥2.75
--
1000+
￥2.45
--
2000+
￥2.31
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7410TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7mΩ @ 16A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 16A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 91nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8676pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7410TRPBF手册
IRF7410TRPBF概述
产品概述：IRF7410TRPBF
概述
IRF7410TRPBF 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能 P 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），封装为 SOIC-8，适用于各种电源管理和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高连续漏极电流能力和宽工作温度范围，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
主要特性
电气参数：
- 漏源电压 (Vdss): 12V，适合轻载及低功率应用。
- 连续漏极电流 (Id): 16A（25°C 时），这使得该器件适用于对电流要求较高的应用。
- 导通电阻 (Rds On): 7mΩ @ 16A, 4.5V，低阻值有效降低了功耗和热量生成，提升了效率。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250µA，设计人员可以通过合理的驱动电压来确保 MOSFET 的良好开关性能。
- 最大功率耗散: 约 2.5W，有助于在设备设计中考虑散热管理。
高频性能：
- 栅极电荷 (Qg): 最大 91nC @ 4.5V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，从而减小开关损耗，适用于高频率应用。
工作环境：
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)，增强了其在极端环境条件下的稳定性和可靠性。
- 可靠性: 产品的广泛工作温度范围使其适合工业和汽车等领域的严苛应用。
封装形式：
- 封装: SO-8，表面贴装型设计，适合自动化生产及小型化应用。
应用场景
IRF7410TRPBF MOSFET 适合用于多种应用，包括但不限于：
- 电源开关：广泛用于 DC-DC 转换器、适配器和电源供应商中，提供高效的电源管理解决方案。
- 电机控制：其高电流能力使其在电机驱动电路中具有很大的优势。
- 负载开关：用于控制设备的电源状态，适合用于 USB 供电、能源采集和移动设备设计。
- 汽车电子：因其宽工作温度和高功率处理能力，常用于汽车控制系统、照明和动力传输系统。
竞争优势
IRF7410TRPBF 的低导通电阻和高电流能力，使其在指标上实质领先于许多同类产品。此外，英飞凌作为全球著名的半导体制造商，产品质量得以有效保证，并且在业界享有良好的声誉。其全面的技术支持和丰富的应用经验，也使得客户在设计和开发过程中可以获得更多的帮助和服务。
结语
综上所述，IRF7410TRPBF 是一款性能优越、应用广泛的 P 沟道 MOSFET，凭借其可靠的电气特性和多元的应用场景，成为电子设备设计工程师的重要选择。无论是在新产品开发还是现有系统的优化中，此款器件都能提供突出的性能，是高效电路设计的不二之选。