安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 2.4A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A,3A | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 520pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 4.5V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.4W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
IRF7309TRPBF 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 MOSFET,主要用于各种功率管理及开关应用。该器件具有良好的电气特性和热性能,适合在高频和高效能的电路中使用。以下是该产品的主要特性和应用分析。
导通电阻与电流承载能力:IRF7309TRPBF 的导通电阻最高可达 50 毫欧(@ 2.4A,10V),在25°C工作条件下,具备4A的连续漏极电流承载能力。这样的特性使得该MOSFET适用于低功率与中等功率的应用,使其在负责电流控制时实现更低的功耗。
类型:该器件内集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的 FET,使其能够灵活地在多种电路配置中发挥作用。这种双通道的设计提高了电路的集成度,减少了元件数量,从而在空间和成本上带来了优势。
输入电容和栅极电荷:在输入电压 15V 时,IRF7309TRPBF 的输入电容(Ciss)最高为520pF,栅极电荷(Qg)在4.5V条件下最大值为25nC。这使得其具备较快的切换速度,有效减少开关损耗,适用于需要快速响应的应用场合。
工作温度范围:该MOSFET能在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作,确保了在极端环境下也能可靠运行。这一特性使其非常适合用于高温或低温环境下的电子设备。
封装与安装类型:IRF7309TRPBF 采用 SO-8 封装,其表面贴装型设计便于自动化生产,适合高密度电路板的组装,且具有良好的散热性能。
由于 IRF7309TRPBF 的优异特性,它可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
开关电源:在开关电源(SMPS)中,IRF7309TRPBF 可用作输入或输出的开关,提供高效率和更低的散热。
电机驱动:由于其能处理较高电流,IRF7309TRPBF 适合用于直流电机驱动电路,能够有效控制电机的启动、运行和制动。
负载开关:该MOSFET可用于各种负载开关应用,如LED驱动和继电器驱动等,具备快速开关能力及较小的导通损耗。
电源管理IC:IRF7309TRPBF 可作为电源管理集成电路中的关键元器件,帮助实现高效能的电源转换和电流控制。
便携式设备:由于其低功耗和适应广泛温度范围的优点,这款器件也非常适合用于便携式设备,如移动电话、平板电脑等。
综合以上特点,IRF7309TRPBF 是一款性能优异、功能强大的 MOSFET,能够满足现代电子设计对高效能、低功耗及宽工作温度范围的要求。这使得它在工业控制、消费电子及汽车电子等众多领域展现出极高的应用价值。选择 IRF7309TRPBF,不仅能够提升设计的性能,同时也为产品的市场竞争力打下坚实的基础。