漏源电压(Vdss) | 400V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.3A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.8Ω @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 50W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 410pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
产品简介
IRF720PBF 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路、驱动电路及其他需要高压大电流控制的电子设备中。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 400V,连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时可达到 3.3A,功率耗散能力达 50W,支持宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)。该器件采用 TO-220AB 封装,易于散热并适合通孔安装。
主要参数
应用领域
IRF720PBF MOSFET 适用于各种应用领域,包括但不限于:
散热与安装
IRF720PBF 采用 TO-220AB 封装,其设计支持出色的散热性能。适合通过通孔方式安装,能有效保证在高功率应用下的散热需求,用户可结合散热器使用以确保在大电流环境下的稳定工作。封装设计考虑了便于PCB布局和的焊接工艺,提升了整体生产效率。
总结
IRF720PBF N 沟道 MOSFET 是一款性能稳定、效率高的场效应管,凭借其能在高压和高电流条件下稳定工作,非常适合现代电源管理和开关电路的需求。无论是用于电源适配器、逆变器、开关电源,还是电池管理系统,该器件都能提供出色的性能,助力设计师实现高效、可靠的电路方案。VISHAY(威世)品牌的质量保证和广泛的应用支持,使得 IRF720PBF 成为工程师首选的高压 MOSFET 之一。