IRF720PBF 产品实物图片
IRF720PBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF720PBF

商品编码: BM0000281203
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 400V 3.3A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.42
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.42
--
50+
¥1.85
--
1000+
¥1.55
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF720PBF参数

漏源电压(Vdss)400V连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.3A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻1.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.8 欧姆 @ 2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)410pF @ 25V功率耗散(最大值)50W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

IRF720PBF手册

IRF720PBF概述

IRF720PBF 产品概述

产品简介

IRF720PBF 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路、驱动电路及其他需要高压大电流控制的电子设备中。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 400V,连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时可达到 3.3A,功率耗散能力达 50W,支持宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)。该器件采用 TO-220AB 封装,易于散热并适合通孔安装。

主要参数

  • 漏源电压 (Vdss):IRF720PBF 支持的最大漏源电压为 400V,这使其在高压应用中表现出色,适用于诸如逆变器、电源适配器等设备。
  • 连续漏极电流 (Id):在交流和直流电源电路中,该 MOSFET 的连续漏极电流为 3.3A(在 25°C 环境下),确保在高温环境下工作时仍具备稳定的性能。
  • 导通电阻 (Rds(on)):该器件在 2A、10V 驱动下的导通电阻最大值为 1.8Ω,有助于降低功耗,提高整体效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):在 250µA 电流下,阈值电压为最大 4V,适用于多种栅驱动电压配置,有效简化电路设计。
  • 栅极电荷 (Qg):在 10V 驱动电压下,栅极电荷为 20nC,体现出良好的开关特性,适合高频应用。
  • 输入电容 (Ciss):在 25V 时最大为 410pF,提供了优良的输入响应速度,进一步提升开关频率能力。
  • 工作温度范围:该器件设计用于广泛的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,确保了在各种严苛环境条件下的可靠性和稳定性。

应用领域

IRF720PBF MOSFET 适用于各种应用领域,包括但不限于:

  1. 电源适配器:广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中,提供高效率和低损耗的电力管理解决方案。
  2. 逆变器:在光伏逆变器和变频器应用中可确保高效的能量转换,适合可再生能源系统。
  3. 电动汽车和电池管理系统:能够有效控制电动汽车的电池充放电过程及能量管理。
  4. 开关电源:该 MOSFET 提供高效的开关控制,降低电源的损耗,提高整体性能。

散热与安装

IRF720PBF 采用 TO-220AB 封装,其设计支持出色的散热性能。适合通过通孔方式安装,能有效保证在高功率应用下的散热需求,用户可结合散热器使用以确保在大电流环境下的稳定工作。封装设计考虑了便于PCB布局和的焊接工艺,提升了整体生产效率。

总结

IRF720PBF N 沟道 MOSFET 是一款性能稳定、效率高的场效应管,凭借其能在高压和高电流条件下稳定工作,非常适合现代电源管理和开关电路的需求。无论是用于电源适配器、逆变器、开关电源,还是电池管理系统,该器件都能提供出色的性能,助力设计师实现高效、可靠的电路方案。VISHAY(威世)品牌的质量保证和广泛的应用支持,使得 IRF720PBF 成为工程师首选的高压 MOSFET 之一。