IRF4905PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200W 55V 74A 1个P沟道 TO-220AB
库存 :
4308(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
3.38按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.38
--
100+
￥2.7
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF4905PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 74A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 38A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 74A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 38A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF4905PBF手册
IRF4905PBF概述
IRF4905PBF 产品概述
概述
IRF4905PBF是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高效P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、逆变器和其他高功率应用中。该器件以其卓越的电气性能和高度的可靠性而闻名，能够在苛刻的工作环境中稳定运行，适合各种工业和消费电子产品。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为55V，确保其在多种电附加强电路中可以有效工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，连续漏极电流高达74A，表明其强大的承载能力，能够应对大电流负载。
- 栅源极阈值电压: 栅源阈值电压为4V @ 250µA，这表明在较低的栅源电压下就能够激活该MOSFET，确保在低电压状态下也可以实现良好的开关性能。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在38A的电流和10V的栅电压下，导通电阻为20毫欧，这种低导通电阻帮助降低了功耗，提高了工作效率。
- 最大功率耗散: 在25°C环境温度下，该器件的最大功率耗散为200W，使其能够处理高功率应用而不发生过热。
- 工作温度范围: IRF4905PBF的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端环境下使用。
设计与应用
IRF4905PBF采用TO-220AB封装，便于在PCB上进行通孔安装。其设计还考虑到散热性能，能够有效管理运行中的热量。这种通用的封装形式使得它适合多种机械配置和环境。
在应用场景方面，IRF4905PBF广泛用于电源转换器、直流电机驱动、开关电源、逆变器、以及其他需要高效开关控制的电路。由于其高耐障能力和高电流通过能力，该MOSFET特别适用于电动车辆的动力管理和高功率LED驱动电路中。
性能特点
- 高效能: IRF4905PBF的低导通电阻和高漏极电流能力有助于实现高效的功率转换，降低能量损失。
- 高温稳定性: 宽广的工作温度范围使其适用于多种机械和环境条件，确保设备在恶劣条件下的稳定性。
- 快速开关特性: 该FET的栅极电荷（Qg）为180nC @ 10V，使得其在开关动作中反应灵敏，适合高速开关应用。
总结
IRF4905PBF是一款功能强大的P沟道MOSFET，凭借其高电流能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，成为电源管理和高功率应用中的理想选择。其卓越的电气特性和英飞凌品牌的可靠性，使其成为设计工程师和开发人员在选择MOSFET时的优先选择。这款MOSFET在现代电子设备中正在发挥着越来越重要的作用，尤其是在追求高效率和高可靠性的市场需求下。