安装类型 | 表面贴装型 | 驱动器数 | 2 |
通道类型 | 同步 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
上升/下降时间(典型值) | 100ns,50ns | 输入类型 | 非反相 |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V | 驱动配置 | 半桥 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 210mA,360mA | 电压 - 供电 | 10V ~ 20V |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
IR2104STRPBF 是一种高性能的半桥栅极驱动器,专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计,广泛应用于工业、汽车、和电源控制等领域。其高达600V的自举高压能力,使其在高压应用中尤为突出,能够有效满足电动机驱动、逆变器和DC-DC转换器等电路的需求。
驱动器配置:IR2104STRPBF是一个双通道(2驱动器)的同步驱动器,可以灵活应对多种应用场景。其半桥配置确保了能够高效地驱动半桥拓扑电路。
优秀的温度范围:该器件支持工作温度范围为-40°C到150°C(TJ),能够在极端温度环境下稳定工作,非常适合于高温恶劣环境内的使用。
快速的上升和下降时间:典型的上升时间为100ns,下降时间为50ns,使得该产品非常适合高频率切换的应用,减少电能损耗并提高整体系统效率。
输入和逻辑电压:IR2104STRPBF支持非反相输入,满足VIL和VIH的逻辑电压要求为0.8V与3V,使其在与数字信号的兼容性和兼容性方面具备优势。
输出电流能力:该驱动器的灌入峰值输出电流为210mA,拉出峰值输出电流为360mA,能够确保在瞬态负载时提供充分的驱动能力,这对于快速变化的负载环境尤其重要。
电压供电范围:支持10V至20V的供电电压范围,能够适应多种电源设计,简化了系统设计过程。
栅极类型兼容性:支持IGBT和N沟道MOSFET,能够灵活适应多种类型的功率器件,提高了设计的灵活性与通用性。
封装类型:IR2104STRPBF采用小尺寸的SOIC-8封装,适合于要求低空间占用的现代电子设备设计。
IR2104STRPBF广泛应用于以下几种场合:
IR2104STRPBF是一个集速度、灵活性与可靠性于一体的半桥栅极驱动器,凭借其高压能力、快速转换特性及广泛的应用兼容性,成为现代功率电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在电动汽车、工业自动化还是传统电源管理领域,IR2104STRPBF均能提供卓越的性能和稳定性。对于电路设计师而言,该驱动器是实现高效能和高可靠性系统设计的理想选择。