IPW60R099C6 产品实物图片
IPW60R099C6 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPW60R099C6

商品编码: BM0000281194
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
7.16g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 278W 600V 37.9A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
18.71
按整 :
(1有240个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥18.71
--
10+
¥16.14
--
4800+
产品参数
产品手册
产品概述

IPW60R099C6参数

功率(Pd)278W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)99mΩ@10V,18.1A漏源电压(Vdss)600V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)37.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@1.21mA

IPW60R099C6手册

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IPW60R099C6概述

产品概述:IPW60R099C6

1. 产品简介

IPW60R099C6是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高效N沟道场效应管(MOSFET),其具备良好的电气性能,适用于各类电源转换、电机驱动以及高功率应用。该器件采用了TO-247-3封装,具有出色的散热性能,能够承受高达600V的电压和最高37.9A的电流,在抗压能力和门极驱动能力方面表现优异,制造出更高的系统效率与可靠性。

2. 主要技术参数

  • 最大漏极到源极电压(V_DSS): 600V
  • 最大漏极电流(I_D): 37.9A
  • 最大功率耗散(P_D): 278W
  • 温度范围: -55°C至+175°C
  • 门阀电压(V_GS): ±20V
  • 最大导通电阻(R_DS(on)): 0.099Ω(在特定条件下测量)
  • 封装类型: TO-247-3

3. 性能优势

  • 高导通效率:IPW60R099C6具有很低的导通电阻(R_DS(on)),这使得在开关状态下损耗的电流显著降低,从而提高了整体功率转换效率。这种高效率意味着能量损失最小化,有助于延长电子设备的使用寿命并降低系统冷却需求。
  • 高电压和电流能力:其600V的耐压能力使其适合用于高电压应用,如交流电源和直流转换器,37.9A的电流能力使其能够承载高负载,适用于各类驱动电路。
  • 温度稳定性:该器件的工作温度范围广泛,可以在多种环境条件下稳定工作,包括高温和低温应用场景,从而提高了产品的可靠性。
  • 低开关损耗:良好的开关特性使得IPW60R099C6在高频开关操作时的损耗非常低,这在要求高效能的应用中尤其显著。

4. 应用领域

  • 电源转换器:由于其高效率与高耐压性能,IPW60R099C6非常适合用于开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)等电力转换设备。
  • 电机驱动:该MOSFET能够有效地控制电机的启停和转速,适用于伺服电机驱动、直流电机驱动及步进电机控制等领域。
  • 电动汽车充电:在电动汽车的充电站和快速充电器中,IPW60R099C6可用于高功率转换,以确保高效快速地为电池充电。
  • 充电器:广泛应用于各类充电器,为便携式设备和工业设备提供高效率的电源转换。

5. 结论

综上所述,IPW60R099C6是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET,其在电源管理和电机驱动方面的极佳表现使其成为电力电子行业的优选组件。英飞凌凭借其在半导体领域的丰富经验及持续创新,确保产品的质量和技术领先性,客户可以放心选择IPW60R099C6作为高效能驱动解决方案。无论是在研发新产品还是改进现有设计中,IPW60R099C6都能够提供卓越的性能表现,推动设计向更高效、更可靠的方向发展。