安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 功率 - 最大值 | 2W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 140V | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 50mA,500mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
FZT795ATA是一款性能卓越的PNP型晶体管,采用SOT-223封装,被广泛应用于各种电子电路中。这款晶体管的设计旨在提供出色的电流放大能力和可靠的电压控制,适用于多种应用领域,包括开关电源、信号放大以及线性调节器等。
FZT795ATA的关键参数包括:
通过这些参数,可以看出FZT795ATA在高温、高压和大电流的工作环境中都能保持良好的性能与稳定性,适合需要高可靠性的工业和消费电子应用。
高电流和高电压能力: FZT795ATA能够承受高达500mA的集电极电流和140V的击穿电压,使其在各种负载条件下表现优秀。无论是在驱动大功率负载还是在高电压条件下的应用中,这款晶体管都能保证稳定的运行。
低饱和压降: 对于现代电路而言,低饱和压降是优化功率损耗的重要特性,FZT795ATA在50mA与500mA时都能够保持仅为250mV的饱和压降,这为电路的效率提供了重要保障。
宽工作温度范围: FZT795ATA能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作,适合极端环境下的应用。这使得它非常适用于航空航天、军事、汽车电子等领域。
高增益: 此款晶体管在较低的基极电流(Ib)下可以提供高达300的直流电流增益(hFE),在信号放大应用中能够显著提升信号处理的能力和效率。
表面贴装型封装: SOT-223封装使得FZT795ATA适合于现代电路板的高密度设计,便于自动化生产,同时减少了布线和组装空间的需求。
FZT795ATA晶体管由于其卓越的性能,适用于多种应用场合:
总之,FZT795ATA是一款高性能的PNP晶体管,适合广泛应用于需要高功率、高效率和高温稳定性的电子设备中。其优秀的电气特性和可靠的工作性能,使得它在现代电子设计中成为一款受欢迎的选择。无论是在消费电子还是在工业应用中,FZT795ATA都能为设计工程师提供极大的灵活性和可靠性,使其成为可信赖的电子元器件之一。