FZT795ATA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT795ATA

商品编码: BM0000281160
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 2W 140V 500mA PNP SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.55
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.55
--
50+
¥1.97
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT795ATA参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁100MHz功率 - 最大值2W
电压 - 集射极击穿(最大值)140V晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 50mA,500mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 10mA,2V

FZT795ATA手册

FZT795ATA概述

FZT795ATA 产品概述

产品简介

FZT795ATA是一款性能卓越的PNP型晶体管,采用SOT-223封装,被广泛应用于各种电子电路中。这款晶体管的设计旨在提供出色的电流放大能力和可靠的电压控制,适用于多种应用领域,包括开关电源、信号放大以及线性调节器等。

基本参数

FZT795ATA的关键参数包括:

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大500mA
  • 电流 - 集电极截止 (最大值): 100nA
  • 工作温度范围: -55°C到150°C
  • 频率 - 跃迁: 100MHz
  • 功率 - 最大值: 2W
  • 电压 - 集射极击穿 (最大值): 140V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降 (最大值): 250mV @ 50mA, 500mA
  • DC电流增益 (hFE): 最小值300 @ 10mA, 2V

通过这些参数,可以看出FZT795ATA在高温、高压和大电流的工作环境中都能保持良好的性能与稳定性,适合需要高可靠性的工业和消费电子应用。

主要特点

  1. 高电流和高电压能力: FZT795ATA能够承受高达500mA的集电极电流和140V的击穿电压,使其在各种负载条件下表现优秀。无论是在驱动大功率负载还是在高电压条件下的应用中,这款晶体管都能保证稳定的运行。

  2. 低饱和压降: 对于现代电路而言,低饱和压降是优化功率损耗的重要特性,FZT795ATA在50mA与500mA时都能够保持仅为250mV的饱和压降,这为电路的效率提供了重要保障。

  3. 宽工作温度范围: FZT795ATA能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作,适合极端环境下的应用。这使得它非常适用于航空航天、军事、汽车电子等领域。

  4. 高增益: 此款晶体管在较低的基极电流(Ib)下可以提供高达300的直流电流增益(hFE),在信号放大应用中能够显著提升信号处理的能力和效率。

  5. 表面贴装型封装: SOT-223封装使得FZT795ATA适合于现代电路板的高密度设计,便于自动化生产,同时减少了布线和组装空间的需求。

应用领域

FZT795ATA晶体管由于其卓越的性能,适用于多种应用场合:

  • 开关电源: 其高电流和低饱和压降,使其能够用于开关电源中的开关元件,提供高效的电力转换。
  • 信号放大: 在音频和视频信号处理电路中,该晶体管的高增益特性使其成为理想的选择。
  • 线性调节器: 可以用作线性稳压器中,提供稳定的输出电压。
  • 电机驱动: 在需要控制电机驱动的应用中,FZT795ATA能够有效控制较大的电流,使电机高效运行。

结论

总之,FZT795ATA是一款高性能的PNP晶体管,适合广泛应用于需要高功率、高效率和高温稳定性的电子设备中。其优秀的电气特性和可靠的工作性能,使得它在现代电子设计中成为一款受欢迎的选择。无论是在消费电子还是在工业应用中,FZT795ATA都能为设计工程师提供极大的灵活性和可靠性,使其成为可信赖的电子元器件之一。