FQPF6N90C
FQPF6N90C参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1770pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 56W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
FQPF6N90C手册
FQPF6N90C概述
FQPF6N90C 产品概述
概述
FQPF6N90C 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有优异的电气特性和广泛的应用可靠性。其漏源电压（Vdss）高达900V，连续漏极电流（Id）可达6A，使其在高压和中等电流的应用场景中表现出色。FQPF6N90C 的封装采用 TO-220F 形式，便于散热和安装，广泛应用于电源管理、开关电源、工业控制以及汽车电子等领域。
产品特点
高电压能力: FQPF6N90C 的漏源电压在900V，能够满足高压电源设计需求，适合用于各种高压开关应用。
高连续电流: 额定的连续漏极电流为6A，足以支持多种负载应用，确保系统的稳定性和可靠性。
低导通电阻: 最大导通电阻（Rds(on)）在7V Vgs 条件下可达到2.3Ω（@3A），显著减少了功耗和发热，从而提高了整体系统的效率。
宽工作温度范围: 该器件能够在-55°C 到 150°C 的工作温度范围内稳定工作，适合在苛刻环境下长期应用。
优秀的输入特性: FQPF6N90C 的输入电容（Ciss）为1770pF（@25V），栅极电荷（Qg）最大值为40nC（@10V），保证了快速开关特性和良好的控制能力。
耐用性和稳定性: 该 MOSFET 具备高功率耗散能力（最大值为56W），适于高功率应用，且显示出良好的抗热冲击能力。
兼容性: TO-220F 封装设计使其可以方便地与其他同类产品互换，便于集成与布局。
应用场景
FQPF6N90C MOSFET 的主要应用领域包括：
开关电源: 由于其高截止电压和低导通电阻特性，该产品在 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器中尤其有效，能够提高转换效率。
照明控制: 在 LED 驱动电路中，以高效控制照明负载，使之在开关状态下具备较低的功耗。
电机驱动: 适用于电动机驱动电路中，可以控制电机的启停及调速，提升电机的控制精准度。
工业控制: 在各种工业自动化设备中，可以作为开关组件，满足高频切换要求。
汽车应用: 在汽车电子设备中，如电动窗控制和车灯控制等，确保可靠的操作。
结论
FQPF6N90C 以其高电压和高电流能力、低导通电阻及宽工作温度范围，成为许多高要求应用中的理想选择。无论是在新产品开发还是现有产品的升级中，FQPF6N90C 都能够提供稳定的性能和较高的效率，为设计人员提供了极大的灵活性和便捷性。作为 ON（安森美）品牌的优质产品，FQPF6N90C 一定能够满足您在高压MOSFET领域的各种需求。