FQP4N90C

产品概述：FQP4N90C N通道MOSFET

1. 概述

FQP4N90C是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其额定漏源电压高达900V，额定连续漏极电流为4A，是电源转换、开关电源、逆变器和其他高电压应用领域的理想选择。器件采用TO-220封装，适合于穿孔安装，便于散热和电路板集成。

2. 主要参数

• FET类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 连续漏极电流（Id）@ 25°C：4A（在结温Tc条件下）
• 最大 Rds(on)：4.2Ω @ 2A, 10V
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大22nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）：最大960pF @ 25V
• 功率耗散（Pd）：最大140W（在结温Tc条件下）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（结温TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3

3. 特性与应用

FQP4N90C的高漏源电压和较高的功率处理能力，使其在高电压驱动场合表现优异。这款MOSFET的Rds(on)值较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率，特别在PWM驱动和开关电源中具备明显的优势。

应用场景：

• 开关电源：由于其高达900V的耐压及4A的连续电流能力，FQP4N90C适合用于设计高效的开关电源（SMPS），在AC-DC转换和DC-DC变换电路中表现卓越。
• 逆变器：无论是在光伏逆变器、风能逆变器，还是在驱动电机的电源转换中，FQP4N90C都能够有效地提供高电压和高效率转换，确保系统的稳定性和可靠性。
• LED驱动和其他高压应用：在LED驱动电源和其他需要高电压操作的设备中，该MOSFET具有良好的兼容性和灵活性。

4. 散热与安装建议

FQP4N90C封装为TO-220，提供了良好的散热能力。为确保MOSFET的最佳工作性能，建议在设计电路时考虑适当的散热措施，例如使用导热垫、散热片或风扇，以保持器件在推荐的工作温度范围内。此外，该元器件的通孔安装方式，使得在PCB上布局和焊接时相对简便，提高了电路的可靠性。

5. 总结

FQP4N90C是一款优异的N通道MOSFET，具有900V的高耐压和140W的高功率处理能力，适用于多种高电压应用。在高效能的开关电源、逆变器及LED驱动电路设计中，能够为工程师提供可靠的解决方案。其低导通电阻、高输入电容和快速开关特性，进一步提升了在高频应用中的实用性。整体来看，FQP4N90C以其卓越的性能和灵活的应用，使其在现代电子设计中仍占有一席之地。