晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 集电极电流Ic | 900mA |
集射极击穿电压Vce | 100V | 额定功率 | 625mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 900mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 960mV @ 5mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 625mW |
频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
概述 FMMT634TA 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,专为要求高增益和高电流处理能力的应用而设计。该元件具有出色的电气特性,适合用于各种电子电路,包括信号放大、开关控制和驱动电路等。FMMT634TA 的紧凑封装(SOT-23)使其特别适合于空间受限的应用中。
主要参数和特性
晶体管类型:FMMT634TA 是一种 NPN 达林顿型晶体管,具有极高的电流增益和输入阻抗。达林顿配置的特别之处在于两级晶体管并联工作,这显著提高了增益,同时保持了较低的输入电流要求。
集电极电流 (Ic):该晶体管能够承载最大集电极电流 (Ic) 为 900mA,适合用于需要大功率驱动的应用,例如马达控制和高功率 LED 驱动。
集射极击穿电压 (Vce):FMMT634TA 的集射极击穿电压最高可达 100V,提供良好的电压稳定性,适合在高电压环境中使用。
饱和压降 (Vce(sat)):在 5mA 和 1A 的工作条件下最大饱和压降为 960mV,这一特性有助于减少在开关状态下的功耗,提高整体效率。
电流增益 (hFE):在 100mA 和 5V 的条件下,FMMT634TA 的直流电流增益(hFE)最小值可达 20000。这样高的增益意味着更小的基极电流需求,有利于信号的放大和开关的触发。
截止电流 (Ic(off)):在基极无信号输入时,截止电流非常小,仅为 100nA,显示了该器件的优良性能,能够显著降低漏电流的影响。
频率响应:FMMT634TA 的跃迁频率高达 140MHz,适合于高频信号处理的应用,比一般的晶体管具有更宽的工作频带。
工作温度范围:此晶体管的工作温度范围广泛,涵盖 -55°C 到 150°C,能够满足严苛环境中的操作需求。
安装类型:FMMT634TA 采用表面贴装型设计,封装符合 SOT-23 标准,这种小型封装方便焊接,适合现代的贴片技术。
应用场景 FMMT634TA 适用于多种电子应用,包括但不限于:
结论 FMMT634TA 是一款功能强大、性能卓越的 NPN 达林顿晶体管,凭借其高增益、高电流能力和广泛的工作温度范围,使其成为各种电子应用中的理想选择。作为 DIODES 品牌的核心产品之一,FMMT634TA 在市场上的认可度和应用广泛性,使其成为设计师和工程师在构建高性能电路时的首选组件。