FDC637AN
FDC637AN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1125pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
FDC637AN手册
FDC637AN概述
产品概述：FDC637AN N沟道MOSFET
FDC637AN 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为要求严格的电源管理和驱动应用而设计。其主要特点包括优异的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，适用于各种电子设备的高效能供电和开关控制。
基本参数
FDC637AN的漏源电压（Vdss）达到了20V，并且在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达6.2A。这使得该器件能够在较高的电压和电流条件下稳定工作，非常适合于电源转换及电机控制等应用。
导通电阻特性
该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在4.5V的栅源电压（Vgs）下最大值为24毫欧，而在6.2A的漏电流下，具有出色的电气性能。这种低导通电阻特性有效降低了功率损失，提高了系统效率，特别是在高频和高功率应用中表现尤为突出。
栅极驱动特性
FDC637AN的栅极阈值电压（Vgs(th)）在Vgs为1.5V时，漏电流为250μA，显示出其在低电压驱动下的良好性能。此外，栅极电荷（Qg）在4.5V下最大只需16nC，使其在开关频率较高的应用中（如DC-DC转换器）表现出较好的开关速度和能效。
工作温度与功率耗散
该MOSFET的工作温度范围为-55°C到150°C，具有良好的环境适应能力，可以在极端条件下可靠运行。其额定功率耗散为1.6W（在Ta下），这使得FDC637AN在各种工业和汽车应用中都能满足高要求的热管理需求。
封装特性
FDC637AN采用SuperSOT™-6封装，规格为SOT-23-6，这是一个表面贴装型的封装类型，使得其在PCB布局中占用的空间较小，适用于要求空间紧凑的设计。此外，该封装还确保了良好的散热性能和可靠性，满足现代电子设备对热管理的严格要求。
应用领域
FDC637AN广泛应用在以下几个领域：
- 电源管理：其高效的开关特性和低导通电阻使得FDC637AN非常适合用于各种电源转换、DC-DC转换器、线性稳压器等。
- 电机驱动：能够承载高电流和高电压，适用于电机驱动电路及控制器。
- 消费电子：广泛应用于手机、计算机及其他消费类电子产品的电源管理。
- 汽车电子：适用于汽车中的各种控制模块和系统，能够满足严苛工作环境的要求。
总结
整体来看，FDC637AN是一款功能强大且灵活应用的N沟道MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻、紧凑封装，以及广泛的工作温度范围，为现代电子设计提供了可靠的元器件选择。无论是在电源管理、电机控制还是消费电子产品中，FDC637AN都能够满足高效能和高可靠性的设计需求。