反向恢复时间(trr) | 25ns | 直流反向耐压(Vr) | 200V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 920mV @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 920mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 25ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 200V | 不同 Vr、F 时电容 | 20pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
ES1D-13-F 是由DIODES(美台)公司推出的一款高性能快恢复二极管,专为高效率电流切换应用设计。这款二极管适用于各种电子设备,特别是在需要快速开关和高反向耐压的场合。其小型化的表面贴装型封装(SMA)使其在空间受限的应用中尤为受欢迎。
高反向耐压: ES1D-13-F的200V直流反向耐压使其在电源转换、电动机驱动等应用中表现卓越。该特性能够满足多种工业和消费电子设备的需求。
快速恢复特性: 其25ns的反向恢复时间意味着该二极管能够迅速将电流从导通状态切换到阻断状态。这使得在高频率的开关应用中,能够减少反向恢复损耗,提高整体能效。
低正向压降: 在1A的常规工作条件下,920mV的正向压降为实现功率损耗最小化提供了保证。较低的正向压降使得在整流电路中,可以提高输出效率,降低热量生成。
小型化封装: 使用SMA封装,不仅使得该元器件的安装更加方便,同时也为电路设计提供了更高的灵活性,尤其适合表面贴装工艺的现代电子产品。
优良的热稳定性: 工作温度范围广泛(-55°C至150°C),使得该元器件适用于高温或低温环境下的应用,确保在极端条件下仍能正常工作,适合恶劣的工业环境。
ES1D-13-F 应用于多种应用场景,包括但不限于:
综上所述,ES1D-13-F 是一款设计优秀、性能卓越的快恢复二极管,适合在多个领域中应用。其高反向耐压、快速恢复特性、低正向压降及良好的热稳定性使得它成为现代电子设备中不可或缺的核心元件。随着数字化和电力电子技术的不断发展,ES1D-13-F将继续在提升电力管理和能效方面发挥重要作用。选择ES1D-13-F,确保您的电子项目在性能、效率和稳定性方面处于领先地位。