反向恢复时间(trr) | 25ns | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 920mV @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 920mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 25ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
VISHAY ES1B-E3/61T 是一款高效能的快恢复二极管,适用于各种工业和消费电子应用。这款器件以其优异的电流承载能力、快速的反向恢复时间和可靠的耐压性能,在市场上获得了广泛的应用。本文将详细介绍该二极管的关键参数、应用场景以及相应的优势。
VISHAY ES1B-E3/61T 的设计旨在满足现代电力电子设备对快速开关速度和高性能的需求。其快恢复特性可以有效降低开关损耗,提高电源转换效率。该二极管采用了DO-214AC(SMA)封装,使其易于集成到各种电路板上,并确保良好的散热性能,从而保证在高温条件下的稳定性和可靠性。
快速恢复时间: ES1B-E3/61T 的反向恢复时间仅为25纳秒,相较于传统二极管具有显著较小的反向恢复时间,适用于高频率开关电源和其他快速开关应用。
低正向压降: 920毫伏的正向压降有助于减少功耗,增强电路的整体效率,尤其在直流电源中,这一特性尤为突出。
较低的反向泄漏电流: 在高达100伏的工作条件下,器件的反向泄漏电流仅为5微安,表明其良好的密封性能,减少了漏电损耗。
宽广的工作温度范围: 该器件支持的工作温度在-55°C至150°C之间,使其能够适应各种严苛的环境条件,确保其在极端应用场景中的可靠性。
VISHAY ES1B-E3/61T 二极管广泛应用于以下领域:
VISHAY ES1B-E3/61T 快恢复二极管凭借其优异的性能和可靠性,成为众多电源设计师的优选器件。它不仅提供了有效的电流整流和反向恢复能力,还能够在各种工作环境中保持出色的性能表现。随着现代电子设备对效率和性能的不断提升,这款二极管将在未来的电力电子领域中发挥越来越重要的作用。选择VISHAY ES1B-E3/61T,您将体验到更高的系统效率和卓越的应用表现。