DTC143ZEBTL
DTC143ZEBTL参数
| 额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F（SOT-416FL） |
DTC143ZEBTL手册
DTC143ZEBTL概述
DTC143ZEBTL 产品概述
概述
DTC143ZEBTL 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的数字晶体管，属于 NPN 预偏置类型，特别设计用于在低功耗电子设备中提供稳定的开关和放大功能。其额定功率为 150mW，能够承受的集电极电流 Ic 最大为 100mA，此外，它具备一种较高的集射极击穿电压 Vce（最大值）可达 50V，使其适用于多种中低压电路应用。此款产品采用 SC-89 封装，具有表面贴装型设计，便于集成到现代小型化电路板上。
主要参数性能
额定功率和电流：DTC143ZEBTL 的额定功率为 150mW，最大集电极电流为 100mA，这使得该晶体管能够可靠地工作在多种电子电路设计中，满足不同应用场景中对功率和电流的要求。
电压承受能力：它的集射极击穿电压 Vce 达到 50V，能够在高达此电压的环境下正常工作，包括工业控制、家电设备等高电压应用。
电流增益（hFE）：在 Ic 为 10mA 和 Vce 为 5V 的情况下，DTC143ZEBTL 最小直流电流增益 (hFE) 为 80。此值说明它在低信号输入时可以有效放大信号，进一步提升了电路的工作效率。
饱和压降：在 250µA 的基极电流与 5mA 的集电极电流下，Vce 饱和压降最大为 300mV。这意味着在开关工作时可以有效降低功耗，同时减少对电源的压力。
截止电流：该晶体管的截止电流最大为 500nA，指示在非工作状态下的低功耗特性，使其非常适合于节能型电子设计。
频率响应：DTC143ZEBTL 的跃迁频率为 250MHz，这使其在高频应用中表现出色，适用于高速开关电路和射频（RF）应用，能够满足各种通信和传输速度的需求。
电阻器参数：使用四个电阻器（基极电阻 R1 为 4.7 kΩ，发射极电阻 R2 为 47 kΩ）可以帮助调节晶体管的工作状态，从而提高电路的灵活性和适应性。
应用场景
由于其出色的性能参数和稳健的电力管理能力，DTC143ZEBTL 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 数字电路：该晶体管可以作为开关元件，控制逻辑电路中的信号传送。
- 信号放大：适合用于音频设备和信号处理电路中，提升信号输出质量。
- 电源管理：在电源开关及调整电路中，DTC143ZEBTL 可用于精确调节电压和电流，以实现最佳的能效。
- 汽车电子：适合用于汽车仪表板、车载娱乐系统等电子装置中，提升这一类设备的可靠性。
- 消费电子：在各种低功耗消费电子产品中使用，包括遥控器、智能家居产品等。
结论
综合考虑，DTC143ZEBTL 是一款性能优越的数字晶体管，其额定功率、集电极电流与击穿电压等参数使其在多种电子应用中均具备良好的适应性。它的高频响应、低饱和压降与低截止电流特性，为现代电子产品设计提供了可靠的支持，是电子工程师在开发高效且节能电路时的理想选择。无论是在初学者还是专业工程师的手中，DTC143ZEBTL 都展现了其无与伦比的价值与潜力。