漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 13A |
栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.2W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Ta),30A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.5 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41.3nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2090pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 2.2W(Ta),41W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT6010LFG-7是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名的半导体供应商DIODES(美台)生产。该MOSFET具有优良的电气特性和热性能,适用于各种电源管理和开关应用。其高达60V的漏源电压(Vdss)以及13A的连续漏极电流能力,使其在多个领域中,都能满足对高功率和高效率的需求。
DMT6010LFG-7的几个关键参数说明了其在设计中的灵活性和高效性:
DMT6010LFG-7具有出色的热管理特性,操作温度范围广泛(-55°C至150°C),这使其适用于汽车、工业及航空航天等高温要求的苛刻环境。同时,在封装设计上,采用8-PowerVDFN(PowerDI3333-8),助力更高的散热效果以及更小的尺寸,有利于应用于空间受限的电路设计。
这款MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为41.3nC @ 10V,意味着在高速开关中可以实现快速的开关响应,降低开关损失。适合用于那些对开关频率要求较高的应用,如DC-DC转换器和高频开关电源。
由于其优良的电气性能和广泛的工作温度范围,DMT6010LFG-7被广泛应用于以下几个领域:
DMT6010LFG-7是一款高效、强大的N沟道MOSFET,其显著的电气特性、卓越的热性能和广泛的应用适用性,使其成为现代电路设计中一个理想的选择。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,都能为系统提供解决方案,实现高效能的电源管理和开关控制。通过选择DMT6010LFG-7,设计工程师可以更好地满足日益增长的高能效和高可靠性需求。