DMT10H015LSS-13
DMT10H015LSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1871pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMT10H015LSS-13手册
DMT10H015LSS-13概述
DMT10H015LSS-13 产品概述
DMT10H015LSS-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由知名电子元器件供应商 DIODES（美台）制造。此款器件以其优越的电气特性和广泛的应用适用性，在现代电子电路中扮演着重要的角色。
主要参数概述
DMT10H015LSS-13 的漏源电压（Vdss）高达 100V，适合用于各种高电压应用。其25°C时的额定连续漏极电流（Id）为 8.3A，意味着在正常工作条件下，这款 MOSFET 能够稳定的处理较高的功率负载。这一特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器以及电动机驱动等应用的理想选择。
此器件在不同 Id 与 Vgs 下的导通电阻（Rds On）最大值为 16 毫欧＠10V 和 20A，表明它在导通状态下可以提供极低的电阻，进而减少功耗和发热。这种低的 Rds On 使得 DMT10H015LSS-13 在高频应用中尤其高效，提升了整体电路的能量转换效率。
栅极控制与驱动
在栅极驱动电压（Vgs）的选择上，DMT10H015LSS-13 提供了灵活性，其最大 Rds On 在 4.5V 和 10V 时均可实现。基于其最大阈值电压（Vgs(th)）为 3.5V（250µA），该器件可在低栅压下有效开启，适合用于低电压启动和控制实现的场合。栅极电荷（Qg）最大值为 33.3nC＠10V，提供了快速的开关响应时间，这对于频率需求较高的电源管理设计尤为重要。
输入电容与功率特性
DMT10H015LSS-13 的输入电容（Ciss）在不同 Vds 下最大值为 1871pF＠50V，意味着其在高妨碍频段下的衰减特性良好，有助于保证电路稳定性和减少 EMI（电磁干扰）。该器件的最大功率耗散能力为 1.2W（Ta），使其能在合理的散热条件下稳定工作，增强了整体电路的可靠性。
温度与封装
DMT10H015LSS-13 的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 到 150°C 的环境条件下正常工作，这使得它可应用于各种苛刻的工业和汽车电子环境。该器件采用表面贴装型（SMT）SO-8封装，尺寸为 3.90mm 宽的 8-SOIC，方便在自动化焊接和高密度 PCB 布局中使用。
应用场景
凭借其优异的电气性能与温度适应性，DMT10H015LSS-13 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：作为开关元件实现高效的电力转换。
- 电动机驱动：用于控制小型电机及驱动电路，特别是在高频开关模式下。
- DC-DC 转换器：在各种电源管理应用中提供稳压和稳流解决方案，特别是在便携式设备和消费电子中。
- 高频功率放大器：在RF及相关应用中优化功率输出，提升传输效率。
结论
DMT10H015LSS-13 是一款技术先进、性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻及宽广的工作温度范围，适用于多种现代电子应用。无论是在电源管理、马达驱动，还是在高频开关电路中，这款元器件都展现了强大的性能优势，能够满足不断增长的市场需求。通过采用 DMT10H015LSS-13，设计工程师能够有效提升产品的效率和可靠性。