DMP4065S-7
DMP4065S-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 100mΩ @ 3.3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 720mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 587pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP4065S-7手册
DMP4065S-7概述
产品概述：DMP4065S-7 P沟道MOSFET
基本信息
DMP4065S-7 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 P 型沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其封装类型为 SOT-23（TO-236-3，SC-59），适合表面贴装技术（SMT）应用。这款 MOSFET 专门设计用于低电压高电流应用，能够在不牺牲性能的情况下实现高效能的电源开关和信号放大。
关键参数
DMP4065S-7 的漏源电压（Vdss）达到 40V，使其适用于多种电源管理电路。同时，器件能够承受的最大连续漏极电流（Id）为 2.4A（在 25°C 环境下），使其具有良好的电流承载能力，适合高功率应用。通过 MOSFET 的低漏源导通电阻（Rds(on)）来实现低功率损耗，在 3.3A 和 4.5V 时，导通电阻仅为 100mΩ，这在电流驱动条件下表现出极低的能量损失。此外，在 10V 的栅源电压（Vgs）条件下，器件的最大导通电阻降低到 80mΩ，对于提高开关效率非常重要。
电气特性
该 MOSFET 的栅极源极阈值电压（Vgs(th)）为 3V @ 250µA，表明只需较低的栅源电压即可有效开启，增强了其在低功耗电路中的应用可能。DMP4065S-7 还显示出较高的栅极电荷（Qg）特性，最大为 12.2nC @ 10V，适用于快速开关应用，能够显著提高开关速度，降低开关损耗。
功率与温度特性
在功率耗散方面，DMP4065S-7 的最大功率耗散（Pd(max)）为 720mW（在 25°C 环境下），确保了在设计中可以兼顾功率和热管理。该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，能够在极端环境下稳定工作，使其在航空航天、汽车电子以及工业控制等应用场景中具备强大竞争力。
应用领域
DMP4065S-7 适用于多种应用，包括：
- 电源开关： 适合电源管理IC及开关电源，确保高效的电源转换。
- 负载开关： 用于控制负载的通断，提高能源利用率。
- AC/DC转换器： 在电源电路中可作为整流器的一部分，有效提高转换效率。
- 高侧开关： 在负载方面提供优秀的控制，尤其适合汽车和工业控制应用。
- 低功耗电路： 由于其低栅源电压和开关损耗，特别适合用于便携式设备和低功耗系统。
总结
DMP4065S-7 是一款功能全面且性能卓越的 P 沟道 MOSFET，凭借其优异的电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，成为各种电源管理解决方案的理想选择。作为一款表面贴装产品，DMP4065S-7 方便在各类电子电路中进行集成，适应不断提升的市场需求，是实现高效能电源设计的理想元器件。无论是在汽车电子、工业自动化还是消费电子中，它都能为用户带来可靠的性能和便捷的设计体验。