DMP4050SSD-13
DMP4050SSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.8W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 674pF @ 20V | 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMP4050SSD-13手册
DMP4050SSD-13概述
DMP4050SSD-13 产品概述
DMP4050SSD-13 是一款高性能的双P沟道场效应管（MOSFET），属于美台（DIODES）品牌。这款器件采用表面贴装型SO-8封装，适用于各种需要高效功率开关的应用场景，尤其在功率管理和电源转换领域表现出色。
主要参数
漏源电压（Vdss）: DMP4050SSD-13 的最大漏源电压为40V，使其能够满足许多中等电压应用的需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，该器件的连续漏极电流额定值为4A。这一特性使得DMP4050SSD-13能够在多种负载条件下稳定工作。
导通电阻: 该MOSFET在6A、10V下的最大导通电阻为50毫欧，保证了电流通过时的小损耗，提高了整体效率，并有助于降低发热。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: DMP4050SSD-13在250µA条件下的栅源阈值电压为3V。低阈值电压设计使得驱动电路能够更容易地控制MOSFET的开关状态。
功率耗散: 在25°C下，该器件的最大功率耗散为1.8W。这一参数确保了MOSFET在高压和大电流条件下的安全性和可靠性，有助于系统的稳定运行。
工作温度范围: DMP4050SSD-13的工作温度范围从-55°C到150°C，适应了很多严苛环境的应用需求。这意味着该MOSFET在极端温度变化的条件下仍能正常工作。
输入电容（Ciss）: 在20V下，该器件的输入电容最大值为674pF。这一特性使得其在高频应用下表现出色，能够快速响应信号变化。
栅极电荷（Qg）: 在10V时，最大栅极电荷为13.9nC，这一特性有助于降低开关损耗，提升开关频率，适用于需要快速开关的电路设计。
应用场景
DMP4050SSD-13广泛应用于各种电子设备和电源管理解决方案，特别是在以下领域：
电源转换: 用于DC-DC转换器和其他电源变换器中，其优良的导通电阻和阈值电压特性能够有效提升效率。
用于电机驱动: 作为电机驱动电路中的开关，能够提供高电流和高效率，满足电机启动和运行时的负载特性。
电源管理IC: 在各种电源管理应用中，DMP4050SSD-13被用作负载开关，以实现电源的高效控制。
LED驱动: 在LED灯和发光显示器中，能够稳定提供电流，确保光源在不同工作条件下的亮度一致性。
封装与安装
DMP4050SSD-13采用SO-8封装，尺寸为0.154英寸（3.90mm）的宽度，适合于表面贴装安装。该封装不仅节省空间，还提供良好的散热性能，使其在高功率应用中保持合理的工作温度。
总结
综合来看，DMP4050SSD-13是一款性能卓越、可靠性高的双P沟道MOSFET。其多项先进规格参数，像低导通电阻、高漏源电压和宽广的工作温度范围，使其成为电源管理和开关应用的理想选择。无论是在复杂的电源管理IC、电机控制还是高效LED驱动领域，DMP4050SSD-13都能够为设计师提供有效的解决方案，从而推动电子产品向更小型化、高效化的方向发展。