DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.8A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 3.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.08W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 3.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1008pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.08W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP3098LQ-7手册
DMP3098LQ-7概述
DMP3098LQ-7 产品概述
DMP3098LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET，专为多种应用场景而设计，包括但不限于电源管理、开关电路和负载驱动等领域。该元器件由DIODES公司生产，具备优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
主要参数
- 漏源电压（Vds）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 3.8A (25°C)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 70mΩ @ 3.8A, 10V
- 最大功率耗散: 1.08W (Ta=25°C)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3
电气特性
DMP3098LQ-7的漏源电压范围为30V，使其适合用于需要较高电压控制的电路。其在25°C下可承受的连续漏极电流为3.8A，这一参数足以满足大多数消费类电子产品和工业应用中的功率需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）为2.1V，意味着其开关特性良好，可以在较低的栅极电压下实现导通，从而减少功耗。漏源导通电阻（Rds(on)）仅为70mΩ，这使得在导通状态下，电能损耗降低，并提升了电路的效率。
该器件的功率耗散能力达到1.08W，使其在高负载条件下仍能稳定工作。按最大工作温度-55°C ~ 150°C的规格，DMP3098LQ-7适用于极端环境，在汽车和工业控制领域中均能保持优异的性能。
性能优势
高效能: DMP3098LQ-7的低导通电阻和电流承载能力使其在进行高频开关操作中特别高效，显著降低了功率损耗。
温度适应性强: 广泛的工作温度范围意味着该器件适用于各种恶劣环境，不论是在极冷或高温条件下都能正常工作。
小型化封装: SOT-23封装的设计使得该MOSFET特别适合进行表面贴装，适用空间有限的设计需求，有助于实现更小型化和集成化的电路布局。
应用领域
DMP3098LQ-7因其卓越的电气特性，被广泛应用于以下场景：
- 电池管理系统: 在便携式设备和电动汽车中用作开关元件，以提高整体的电源转化效率。
- 电动机驱动: 在小型电机及相关设备中控制电源，提供高效的电流管理。
- 汽车电子: 用于智能仪表、车载充电器和其他汽车内部电路，以提高整体能效。
结论
综上所述，DMP3098LQ-7是一款功能强大的P沟道MOSFET，具备众多优质特性，特别适合现代电子设计需求。其广泛的应用范围和高效能，使其成为许多领域内电子设计师的重要选择。通过灵活应用该元器件，可以有效提升电子设备的性能和可靠性，为用户提供更优质的产品体验。无论是基础的电源控制还是复杂的电机驱动应用，DMP3098LQ-7都能运用自如，展现出色的电气性能和用户价值。