DMP3020LSS-13
DMP3020LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1802pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP3020LSS-13手册
DMP3020LSS-13概述
DMP3020LSS-13 产品概述
DMP3020LSS-13 是一款具有优异电气性能的 P 沟道场效应管（MOSFET），专为低功耗应用设计，广泛用于开关和放大电路。这款 MOSFET 由 DIODES（美台）生产，其适应性和高效性使其成为家电、通信设备和工业控制等领域中的理想选择。
产品特性
漏源电压（Vdss）：DMP3020LSS-13 的漏源电压可达到 30V，适合绝大多数中小功率电源驱动场合。
连续漏极电流（Id）：它在 25°C 的环境温度下，最大连续漏极电流可达 12A，这意味着在合理的散热条件下，用户可以充分利用其高电流承载能力。
栅源极阈值电压：其栅源极阈值电压为 2V @ 250µA，能够在相对较低的驱动电压下快速开启，提升了整体的电路效率。
漏源导通电阻（Rds(On)）：在 8A 的电流和 10V 的栅压下，漏源导通电阻只有 14mΩ，这减少了在运行过程中能量的损耗，提高了器件的整体效率。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度 Ta=25°C 时），这使其能够在多种环境条件下稳定工作。
工作温度范围：它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使得 DMP3020LSS-13 能够在恶劣环境下运行，适应各种工业和汽车应用的需求。
驱动电压：DMP3020LSS-13 的驱动电压适应范围广，最大支持 Vgs 为 ±25V。这种高耐压特性使其在不同的供电环境中都能稳定工作，同时降低了设计复杂性。
输入电容（Ciss）：在 15V 的条件下，其输入电容值为 1802pF，这使得 DMP3020LSS-13 在高频开关应用中表现优秀。
封装与安装：该器件采用 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）封装，体积小巧，适合表面贴装（SMD）工艺，方便实现高密度电路设计。
应用领域
DMP3020LSS-13 的特性使其非常适合用于以下几个领域：
- 电源管理：作为开关元件，DMP3020LSS-13 可用于DC-DC转换器，提升系统的能量转换效率。
- 电机控制：借助其高电流承载能力，该 MOSFET 可用于电机驱动电路，提升电机的控制精度和响应速度。
- 充电器：可以在各类充电器中用作开关元件，保障充电过程的高效与安全性。
- 正反向电源切换：在需要正反向切换的应用中，DMP3020LSS-13 可有效控制电源的接入和切断。
总结
DMP3020LSS-13 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET，其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，使其在多种电子应用中表现出色。无论是在电源管理、电机控制还是电力转换等领域，DMP3020LSS-13 都能满足设计师对高效、稳定以及耐用性的要求。作为 DIODES（美台）推出的高端产品，DMP3020LSS-13 致力于提升您设计的整体性能与可靠性，成为现代电子元器件中不可或缺的一部分。