DMP2160UW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.031g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 1.5A 1个P沟道 SOT-323-3
库存 :
4634(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.403按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.403
--
200+
￥0.26
--
1500+
￥0.226
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2160UW-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.5A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 100mΩ @ 1.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 627pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMP2160UW-7手册
DMP2160UW-7概述
DMP2160UW-7 产品概述
一、基本介绍
DMP2160UW-7 是一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要应用于功率管理和开关电路。该器件由知名品牌 DIODES（美台）生产，旨在提供高效的能量控制与转换能力。DMP2160UW-7 结合了优越的电气性能和紧凑的封装设计，适合广泛的电子应用场景。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V，适合低压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，DMP2160UW-7 具有 1.5A 的最大连续漏极电流，满足了大多数中小功率应用的需求。
- 导通电阻（Rds(on)）: 漏源导通电阻为 100 mΩ，在 1.5A 和 4.5V 驱动电压下测试。这一特性使其在开关时具有较低的能量损耗。
- 栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压约为 900mV，适用于低电压控制信号。
- 最大功率耗散: DMP2160UW-7 的最大功率耗散为 350mW（在 25°C 环境下），能够有效地管理发热问题，保证器件的稳定性与可靠性。
三、特性解析
DMP2160UW-7 在满足性能要求的同时，还提供了多样的应用特性：
- 广泛的工作温度范围: 该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于严苛环境条件下的电子设备。
- 高输入电容: 输入电容（Ciss）最大值为 627pF @ 10V，确保了快速开关特性及良好的兼容性。
- 驱动电压: 器件的驱动电压范围为 1.8V 至 4.5V，使其在多种控制电路中都能良好工作。
- 表面贴装型设计: DMP2160UW-7 支持 SOT-323 封装，便于实现高密度的PCB安装。
四、应用领域
DMP2160UW-7 适用于各种低功耗且要求高效能的设备，具体应用场景包括：
- 电源管理: 在各种电源开关和管理电路中，该 MOSFET 可用作开关元件，帮助实现能量的高效转换与调节。
- 负载开关: 该器件可用于控制电气负载，如电机、LED 灯和其他电子设备的开关控制。
- 信号切换: DMP2160UW-7 可以用于音频、视频和数据切换应用，以便在不同信号之间进行选择。
- 便携式设备: 由于其小巧的 SOT-323 封装，适合用于手机、平板电脑等便携式电子产品，优化空间布局。
五、总结
DMP2160UW-7 是一款极具竞争力的 P沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，成为功率管理及开关应用的理想选择。无论是在消费者电子产品还是工业自动化设备中，DMP2160UW-7 都能够帮助设计人员实现更高的设计效率与更低的能量损耗，是现代电子设计中不可或缺的优秀元件。