DMP2065UFDB-7
DMP2065UFDB-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 752pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.1nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.54W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
DMP2065UFDB-7手册
DMP2065UFDB-7概述
DMP2065UFDB-7 产品概述
产品简介
DMP2065UFDB-7 是一款由DIODES（美台）公司制造的高性能MOSFET阵列，采用表面贴装型封装（U-DFN2020-6）。该产品包含两个P型沟道MOSFET，工作在较低的漏源电压（Vdss）下，最大可达20V，持续漏极电流（Id）为4.5A，且工作温度范围广泛，从-55°C到150°C。这种特性使其特别适用于低功耗、空间受限的应用场景。
主要特性
高温性能：该MOSFET的工作温度范围广泛，适应于恶劣的环境条件。其工作温度可以在-55°C到150°C之间，有效保证了在不同应用条件下的稳定性能。
低导通电阻：在2A和4.5V的条件下，其最大导通电阻（Rds(on)）仅为50毫欧，这在高频和低功耗应用中可显著减少功率损耗，提高电路效率。
双P沟道设计：作为一款双MOSFET阵列，DMP2065UFDB-7具有两个独立的管芯，可在某些特定应用中节省空间、降低成本，同时提升设计灵活性。
高输入电容：该器件在15V下的最大输入电容（Ciss）为752pF，适合于高频开关应用，有助于快速开关和高效能的电源管理。
栅极电荷：在4.5V对栅极驱动的条件下，其最大栅极电荷（Qg）为9.1nC，这降低了驱动电路的功耗，使其适合用于高频切换。
优秀的电气特性：DMP2065UFDB-7 有着较低的阈值电压（Vgs(th)），在250µA的漏电流下最大为1V，这使其能够在低电压下迅速开启，适用于各种低电压系统。
应用领域
DMP2065UFDB-7 的优异性能使之广泛适用于多种电子应用，包括但不限于以下领域：
- 电源管理：DMP2065UFDB-7 可以用作DC-DC转换器中的开关，帮助提升转换效率，降低热损耗。
- 电池管理系统：由于其低导通电阻和高温表现，该MOSFET可以用于电池管理系统中的功率开关，提升系统稳定性和安全性。
- 负载开关：在需要隔离负载的应用场景中，此器件能够以小巧的封装提供可靠的开关解决方案。
- 汽车电子：由于其宽广的温度范围，该器件特别适合在汽车电子应用中使用，例如电动汽车的电池控制和动力管理。
封装信息
DMP2065UFDB-7 使用U-DFN2020-6封装，具有高集成度和小体积的特性，适合高密度表面贴装设计。该封装的热性能和电性能都非常优秀，有助于实现高效的电子设计。
结论
DMP2065UFDB-7 是一款高性能、可靠的双P沟道MOSFET阵列，凭借其优异的电气特性及宽广的应用范围，成为了许多电子设计中不可或缺的一部分，尤其是在功率管理和电源隔离等领域。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车应用中，DMP2065UFDB-7都能展现出其卓越的性能与优势，是电子工程师在电路设计时理想的选择。