DMN65D8LFB-7B
DMN65D8LFB-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 260mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3Ω @ 115mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 430mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 115mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 430mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN65D8LFB-7B手册
DMN65D8LFB-7B概述
DMN65D8LFB-7B 产品概述
一、产品简介
DMN65D8LFB-7B 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有卓越的电气特性和稳定性。该产品适用于各类低压和中低功率的电子应用，能有效提升电路的整体效率与性能。其封装为 X1-DFN1006-3，适合表面贴装，便于在现代电子设备中实现高密度布局。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压高达 60V，使其能够在多个应用场景下安全稳定地工作。该电压值使其适用于DC-DC 转换器、开关电源以及其他需要高电压运作的设备。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，DMN65D8LFB-7B 最高可承受 260mA 的连续漏极电流。这一特性确保了在负载变化时，MOSFET 可以保持稳定的工作状态，适合低功率开关和放大电路。
导通电阻（Rds(on）: 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻最大为 3Ω @ 115mA。低 Rds(on) 值有助于降低在开启状态下的功耗，这对于提升整体转换效率至关重要。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 定义为 2V @ 250µA。这意味着在低电压驱动条件下，该 MOSFET 能够可靠开启，减少电路对驱动电压要求的严格性，有助于改善控制电路的设计。
功率耗散（Pmax）: 当环境温度为 25°C 时，最大的功率耗散为 430mW。该参数确保了在高负载情况下的热管理效果，可以有效防止设备因过热而导致的故障。
三、应用领域
DMN65D8LFB-7B 适用于多种电子应用，特别是在以下领域表现优异：
开关电源: 在开关电源设备中，MOSFET 扮演了核心角色，能够高效控制电流的开与关，确保电源的效率和稳定性。
DC-DC 转换器: 适合用于不同电压之间的转换，能够实现高效的电压调节与管理，保证设备在不同工作状态下的稳定。
信号放大电路: 在音频放大器及信号处理电路中能够有效提升信号质量，减少失真。
驱动电路: 可用于驱动继电器、电机等负载，提高控制电路的灵活性与响应速度。
四、工作环境和可靠性
DMN65D8LFB-7B 具备广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，确保在极端环境条件下的良好性能。广泛的温度适应性使其适用于航空航天、汽车电子等要求严格的行业，确保在极端温差和严酷环境下的可靠性。
五、型式与设计
采用 X1-DFN1006-3 封装，该结构设计上小巧紧凑，能够帮助设计师在有限空间内优化布局。这种表面贴装型封装形式符合现代电子产品日益集成化的趋势。
六、总结
DMN65D8LFB-7B，以其优异的电气性能、高可靠性和广泛的应用适应性，成为了电子设计师理想的选择。这款 N 通道 MOSFET 不仅能够为高效能电源系统提供支持，还将推广至多种消费类电子、工业控制及高端应用中，展现出其多样化的使用价值。无论在性能参数还是在用户体验方面，DMN65D8LFB-7B 都是现代电子设计中不可或缺的优秀元器件。
无论是进行新产品开发，还是对现有产品进行改进，DMN65D8LFB-7B 都能为电子设计提供强大动力与灵活性。