DMN32D2LFB4-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X2-DFN1006-3
包装 :
编带
重量 :
0.025g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW 30V 300mA 1个N沟道 X2-DFN1006-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.523按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.523
--
200+
￥0.338
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1500+
￥0.294
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN32D2LFB4-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 100mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 39pF @ 3V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN32D2LFB4-7手册
DMN32D2LFB4-7概述
DMN32D2LFB4-7 产品概述
1. 引言
DMN32D2LFB4-7是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），其额定漏源电压（Vdss）为30V，适合多种电子电路设计和应用。这款元件特别适合用于电源管理、开关电源、负载开关及其他需要高效电流控制的应用场景。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 最大可承受30V的漏源电压，确保在一定范围内的稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，该元件的最大连续漏极电流为300mA，适合用于低功率消耗的应用。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该MOSFET的阈值电压为1.2V @ 250µA，具有较低的导通门限，能够在较低电压下启动，提升功率效率。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在4V驱动电压和100mA的漏极电流下，其导通电阻为1.2Ω，这表明该元件具有优良的导通性能，减少了开关损耗。
- 功率耗散: 最大功率耗散为350mW（在25°C环境条件下），提供了较大的热管理裕度。
- 工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种恶劣环境下操作。
3. 封装与安装
DMN32D2LFB4-7采用先进的X2-DFN1006-3封装，将集成密度、散热性能和电气特性结合得天衣无缝。这种表面贴装型的封装方式，使得组件能够在紧凑的电路板中占用较小的空间，适合于现代小型化电子产品的设计需求。
4. 应用领域
DMN32D2LFB4-7广泛应用于各种电源管理和开关应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 适合用作电源开关，能够有效转化能量。
- 负载开关: 可以在电子设备中控制高达300mA的负载电流，并在低电压下实现高效操作。
- 电池管理系统: 于电池充放电过程中，具有出色的电流控制及阈值电压的设备。
- 电动工具: 提供高效的电源切换，有效延长电池的使用寿命。
- 消费电子: 可用于智能手机、平板电脑及其他便携设备中的电源控制。
5. 性能优势
DMN32D2LFB4-7的设计中结合了低导通电阻与高功率管理能力，提供了以下几个性能优势：
- 高效率: 低Rds(on)值带来更低的功耗，特别是在高频开关应用中表现尤为突出。
- 广泛的兼容性: 兼容多种模拟和数字电路，提高了设计的灵活性。
- 耐高温性能: 高达150°C的工作温度范围使得该器件在极端条件下依然能够稳定运行。
6. 结论
总之，DMN32D2LFB4-7作为一款高性能N沟道MOSFET，凭借其优异的电气性能、广泛的工作温度范围和紧凑的封装设计，在众多应用中都展现出了广泛的适用性与高效能。无论是在专业的电子设计还是消费电子产品中，它都是值得信赖的选择。通过此款产品，设计师能够实现更高效、更可靠的系统设计，以满足现代电子产品对性能和功耗的严格要求。