DMN3016LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 10.3A 1个N沟道 SO-8
库存 :
1642(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.54按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.54
--
100+
￥1.19
--
1250+
￥1
--
2500+
￥0.85
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3016LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10.3A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 12mΩ @ 12A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1415pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN3016LSS-13手册
DMN3016LSS-13概述
产品概述：DMN3016LSS-13 N沟道 MOSFET
概述
DMN3016LSS-13 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，采用表面贴装型设计，特别适合需要低导通电阻和高开关效率的各种应用。该元器件的设计原则旨在提供出色的电流驱动能力，与此同时低功耗与高热稳定性使其在现代电子产品中得到广泛应用。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 支持的最大漏源电压为 30V，适用于多种中低压应用，能够保证在安全的电压范围内稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）：在环境温度 25°C 时，DMN3016LSS-13 可提供高达 10.3A 的连续漏极电流，适合负载较大的电路设计。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在 250µA 下的阈值电压为 2.5V，意味着驱动电路在相对较低的电压下便可激活器件，使其高效工作。
- 导通电阻（Rds(on)）：该器件在 10V 驱动下，12A 电流时的导通电阻为仅 12mΩ，这一特性显著降低了功耗并提高了可靠性。
- 功率耗散：最大功率耗散为 1.5W，确保在高负荷工作时仍能保持良好的性能表现，并防止过热。
- 工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，显示出其良好的热稳定性及适用性，对环境变化具有较强适应性。
封装与安装
DMN3016LSS-13 采用 SO-8 封装，外形尺寸适中，便于在空间受控的电路板中安装。8-SO 封装不仅有助于提升散热性能，还有助于减少外部干扰，确保器件稳定工作。
应用场景
DMN3016LSS-13 除了在功率管理应用中表现出色，还适用于以下领域：
- 开关电源：因其低 Rds(on) 和高效能特性，适合用于高频开关电源及降压转换器。
- 马达控制：其高漏极电流能力使其在电机驱动和控制电路中脱颖而出。
- 充电电路：在电池充电系统中，该 MOSFET 可实现高效的功率转换，延长电池寿命。
- 消费电子产品：如 LED 驱动器、音频放大器和电源管理 IC 等，均可利用其高效能和空间节省的特性。
结语
DMN3016LSS-13 是一种多功能 N沟道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和宽广的工作范围，必将在各个现代电子产品及系统中找到其重要位置。其高效率和低功耗特性使其成为设计师在开发新一代电气产品时的理想选择。无论是要求苛刻的工业应用还是灵活的消费电子领域，DMN3016LSS-13 都能够满足并超越设计要求，为用户带来极大的便利与价值。