DMN3009SK3-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.516g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.4W 30V 80A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.32按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.32
--
100+
￥1.02
--
1250+
￥0.861
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3009SK3-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 44W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMN3009SK3-13手册
DMN3009SK3-13概述
产品概述：DMN3009SK3-13 N沟道 MOSFET
一、产品简介
DMN3009SK3-13是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各种高效率和高功率应用的需求。此器件特别适用于开关电源、电机驱动和功率管理等领域。凭借其优秀的电气特性和可靠的散热能力，DMN3009SK3-13在现代电子设计中展现出了广泛的适用性。
二、主要特点
- 漏源电压（Vdss）：最大30V，适用于低压电源系统
- 连续漏极电流（Id）：80A（在25°C时），提供了卓越的功率处理能力
- 导通电阻（Rds(on)）：仅为5.5mΩ @ 30A, 10V，极大地降低了导通损耗
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V @ 250μA，确保在较低的驱动电压下即可开启
- 驱动电压：支持4.5V和10V的驱动电压，提升设计灵活性
- 栅极电荷（Qg）：42nC @ 10V，适合高频率开关应用
- 输入电容（Ciss）：2000pF @ 15V，良好的频率特性
- 工作温度范围：从-55°C到150°C，适应极端环境
- 封装类型：TO-252，具备良好的散热性能和适用于表面贴装（SMD）的安装
三、应用领域
DMN3009SK3-13在诸多应用领域均表现出色，主要包括：
- 开关电源：其高电流承载能力和低导通损耗使其成为开关电源设计中的优选器件，能够提高系统的整体能效。
- 电机驱动：广泛应用于直流电机驱动和步进电机控制，凭借快速的开关速度和高效能提供出色的动态响应。
- 功率管理：在各种电源管理系统（如高效LED驱动、电力转换等）中，DMN3009SK3-13可有效降低能量损失，提升整体效率。
四、电气特性
DMN3009SK3-13的显著电气特性使其在实际应用中更具优势：
- 经过低电阻设计的漏源导通电阻，使得在大电流下的热效应降至最低，有利于长时间稳定运行。
- 低栅极电荷使得其在快速开关操作中，能够降低驱动损耗，这在高频应用上尤为重要。
- 高耐压特性确保了在瞬态电压冲击下的工作安全性。
五、散热性能
该器件的封装类型为TO-252，其结构优势在于提供了良好的散热能力。结合优越的功率耗散能力，最大功率耗散可达到44W（在Tc=25°C条件下），使其非常适合散热需求较高的应用场合。
六、总结
总的来说，DMN3009SK3-13 N沟道MOSFET是一款性能卓越、适用广泛的半导体器件，具备高效能、可靠性和灵活性。其在高功率开关及电源管理等领域的应用潜力，使其成为现代电子设计中不容忽视的重要元器件。无论是在家电、汽车、工业设备，还是消费电子产品中，DMN3009SK3-13都能为设计工程师提供更高的效率和更低的能量消耗，是推动电子产品向前发展的理想选择。