DMN24H3D5L-7

产品概述：DMN24H3D5L-7 N通道MOSFET

一、基本信息

DMN24H3D5L-7是一款高性能的N通道MOSFET，采用SOT-23封装，具有优异的电气性能和可靠性。该器件专为各种低功耗、高效率的开关应用而设计，特别适合在要求高导电性和低损耗的场合使用。由DIODES（美台）公司制造，该型号可以在广泛的工作条件下提供稳定的性能，成为工程师选型时的重要选择。

二、主要参数

• 安装类型：表面贴装型（SMD），这使得其在自动化生产中具备了良好的兼容性，能够满足现代电子设备对体积和重量的严格要求。
• 导通电阻：在10V的栅源电压（Vgs）和300mA的漏极电流（Id）下，最大导通电阻为3.5欧姆，意味着其在导通状态下的功耗损失较小，有助于提高系统的整体效率。
• 工作电流：在25℃的环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流（Id）可达480mA。这一参数使其适合多个应用场景，例如电机驱动、LED驱动和电源管理等。
• 漏源电压：该器件能够承受高达240V的漏源电压（Vdss），这使得DMN24H3D5L-7可以在高电压环境中稳定工作，尤其适合用于电源转换和高压开关电路。
• 驱动电压：器件的Vgs（最大值）为±20V，并且在3.3V与10V下提供最低及最高的导通电阻（Rds On），拓宽了其在各种逻辑电平驱动下的应用。
• 输入电容：Ciss最大值为188pF（在25V时），较低的输入电容值意味着该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频开关应用。
• 栅极电荷：在10V的栅源电压下，栅极电荷（Qg）最大为6.6nC，显示出该器件在驱动电路时的高效率。
• 工作温度范围：-55°C至150°C的工作温度范围，适合于严苛环境下的应用，提升了器件的可靠性及适应性。
• 功率耗散：最大功率耗散为760mW（在环境温度下），反映出其在多种热环境下的出色热管理能力。

三、应用领域

DMN24H3D5L-7 MOSFET广泛应用于：

1. 电源管理：高效DC-DC转换器，适合移动设备、计算机及其他电源模块。
2. 开关电源：在AC-DC和DC-DC变换器中作为开关元件使用，帮助提高能源转换效率。
3. 电机控制：用于驱动直流电机和步进电机，满足实时调速和启停控制的需求。
4. LED驱动：在LED照明系统中，作为开关和调光元件，提高亮度控制精度。

四、结论

DMN24H3D5L-7是一款高性能的N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性及广泛的应用场合，成为工程师在设计和开发中的热门选择。无论是用于简单的开关电路，还是复杂的电源管理系统，该组件都能提供稳定、可靠的性能，减少功耗，提高系统效率，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。