DMN2004K-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 630mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
12729(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.433按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.433
--
200+
￥0.279
--
1500+
￥0.243
--
3000+
￥0.215
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2004K-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 630mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 540mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2004K-7手册
DMN2004K-7概述
DMN2004K-7 产品概述
一、产品简介
DMN2004K-7是一款高效能N沟道MOSFET，专为低功耗应用设计，适合在各类电子电路中使用。产品具备卓越的导通性能、较低的导通电阻及优异的热稳定性，适用于各种需要电流控制的场景，如开关电源、功率转换器和电机驱动等。其小巧的SOT-23封装（TO-236-3、SC-59）进一步提升了应用的灵活性，使其能在空间有限的设备中得到广泛的应用。
二、技术规格
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 630mA（在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 550mΩ @ 540mA, 4.5V
- 最大功率耗散（Pd）: 350mW @ 25°C
- 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
- 最大栅源电压（Vgs）: ±8V
- 输入电容（Ciss）: 150pF @ 16V
三、应用场景
DMN2004K-7广泛应用于电子设备的开关电路中，如：
- 电源管理: 在DC-DC转换器中用作开关元件，能够有效地提高转换效率。
- 电机控制: 在小型电机驱动中提供高效的开关控制，有助于延长电机寿命。
- 音频放大器: 提供必要的开关功能，能够在不同负载条件下稳定运行。
- 消费电子: 在平板电脑、移动设备等小型消费电子产品中，作为开关元件用于小电流应用。
四、性能特点
- 低导通电阻: 凭借550mΩ的低导通电阻，DMN2004K-7在工作过程中能显著减少能量损耗，提高整体效率。
- 宽温工作范围: 该MOSFET的工作温度范围为-65°C至150°C，使其适应严酷的工作环境，确保在高温及低温下均能可靠运行。
- 高开关频率: 由于输入电容为150pF，可以实现较高的开关频率，适合高频应用及高效率的电源设计。
- 简化设计: 其SOT-23封装使得PCB布线更加简洁，便于在小型化设计中使用，提高设计的灵活性。
五、封装与安装
DMN2004K-7采用了流行的SOT-23封装，适合表面贴装（SMD）技术。此封装不仅便于自动化生产和安装，还能有效降低外部干扰，提升电路性能。其体积小巧，使其可以非常方便地应用于各种空间受限的产品设计中。
六、总结
总的来说，DMN2004K-7是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其高额定电流、低导通电阻以及广泛的温度适应性，成为适用于多种电子应用的理想选择。从功率管理到小型电机控制，DMN2004K-7将为设计工程师提供高效率、可靠性及卓越性能的解决方案，助力于现代电子产品的创新与发展。