DMG6968UDM-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT26
包装 :
编带
重量 :
0.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 850mW 20V 6.5A 2个N沟道 SOT-26
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.868按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.868
--
200+
￥0.599
--
1500+
￥0.545
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG6968UDM-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.5A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 6.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 850mW | 类型 | 双N沟道(共漏) |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 143pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 850mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
DMG6968UDM-7手册
DMG6968UDM-7概述
产品概述：DMG6968UDM-7
一、产品简介
DMG6968UDM-7 是一款高性能、低导通阻抗的双N沟道场效应管（MOSFET），具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该器件采用SOT-26封装，专为需要在低电压和高电流条件下优化效率的电子电路而设计。作为DIODES（美台）制造的产品，DMG6968UDM-7提供了可靠的性能，适用于各种工业和消费电子应用。
二、基本参数
DMG6968UDM-7的主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 最大6.5A（在25°C环境温度下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 24mΩ @ 6.5A, 4.5V
- 最大功率耗散: 850mW（在25°C时）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 栅极电荷 (Qg): 8.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 最大143pF @ 10V
- 封装类型: SOT-26
三、电气特性
1. 低导通阻抗
DMG6968UDM-7在6.5A的工作电流时，其导通阻抗仅为24mΩ，这样的低阻抗特性减少了在开关和负载电流通过时的压降，有效防止发热，提升整体效率。
2. 相对低的阈值电压
该MOSFET的栅源阈值电压为900mV，适合低电压逻辑控制系统。这使得其在逻辑电平开关应用中表现出色，降低了驱动电源的要求。
3. 加强的散热性能
850mW的最大功率耗散能力使得该器件能够在额定条件下正常工作而不受过热影响，确保了在较高环境温度下的可靠性。
四、应用场景
DMG6968UDM-7的广泛应用包括但不限于：
- ** DC-DC 转换器**
- 负载开关
- 电源管理系统
- 电机驱动
- 消费类电子产品
- 数据通信设备
- 便携式设备
因为其具有优秀的开关特性和能效，DMG6968UDM-7尤其适合于频繁开关的电路设计，如开关电源和电机控制等。
五、封装与安装
DMG6968UDM-7采用SOT-26表面贴装封装，具有较小的尺寸，便于与其他元件集成在一起。该封装提供优良的热性能，有助于增强电路的稳定性及系统的整体性能。
六、总结
DMG6968UDM-7 MOSFET凭借其20V的漏源电压、6.5A的连续漏极电流及超低导通阻抗的优良特性，成为高效电源管理和保护电路设计中的理想选择。无论是在工业应用还是消费电子领域，这款双N沟道MOSFET都能提供卓越的性能和可靠的可靠性。在未来的电子产品设计中，DMG6968UDM-7将是提升效率与降低能耗的关键元器件。