DMG4496SSS-13
DMG4496SSS-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 493.5pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.2nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 1.42W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
DMG4496SSS-13手册
DMG4496SSS-13概述
DMG4496SSS-13 产品概述
引言
DMG4496SSS-13 是美台品牌（DIODES）出品的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种电子电路，包括开关电源、直流电机驱动、负载开关和其他需要高电流和低导通电阻的应用。该产品采用表面贴装型（SMD）封装SO-8，使其具有较小的占用空间，适合高密度电路板的设计。
基本参数
DMG4496SSS-13 的主要参数包括最大漏极电流 (Id) 为 10A，最大漏源电压 (Vdss) 为 30V，最大功耗 (Pd) 为 1.42W，以及最大导通电阻 (Rds(on)) 为 21.5 毫欧。这些参数表明该 MOSFET 可以在相对较高的电流和电压下稳定工作，并且在导通状态下具有较低的电阻，从而有效降低功耗和发热。
电气特性
导通电阻 (Rds(on))：在 10V 的驱动电压下，导通电阻最大值为 21.5 毫欧，能够为电路提供高效的电流传导。
栅极电压 (Vgs)：该 MOSFET 的驱动电压范围在 4.5V 至 10V 之间，即便在最低的驱动电压下也能保证合理的导通性能，适应多种应用环境。
电流容量：DMG4496SSS-13 设计为能够持续承受 10A 的漏极电流 (Id)，使其适合高负载应用的需求。
阈值电压 (Vgs(th))：不同 Id 下的阈值电压最大值为 2V @ 250µA，确保了在较低的驱动电压下也能实现有效开关，方便与微控制器或其他低电压电源的配合。
输入电容 (Ciss)：在 15V 的工作电压下，最大输入电容为 493.5pF，这意味着其可以快速响应，从而实现高频开关操作。
栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为 10.2nC，降低了在驱动过程中的功耗，同时确保了快速开关特性，适合快速开关和高频应用。
工作温度范围
DMG4496SSS-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，该特性使其适合在极端环境下使用，确保长期稳定的性能可靠性。对于工业级别的应用，尤其在严酷的环境中，该 MOSFET 仍能保持出色的性能。
应用场景
DMG4496SSS-13 具备广泛的应用场景。其低导通电阻和高电流能力特别适合用于：
- 开关电源（SMPS）
- LED 驱动电路
- 直流电机驱动
- 电池管理系统
- 自动化设备中的负载切换
封装与布局
DMG4496SSS-13 的 SO-8 封装设计不仅占用空间小，同时具有良好的热散能力。适合用于高速布局和紧凑型电路板设计，使得该 MOSFET 成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。
结论
综合上述参数和特性，DMG4496SSS-13 是一款具有高效能、低功耗和高可靠性的 N 通道 MOSFET。无论在工业应用还是消费电子领域，其优越的电气特性均能为设计师提供强大的支持，成为可靠的选择。选用 DMG4496SSS-13，将极大地提升产品的性能和竞争力。