DMG2307L-7
DMG2307L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 760mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 371.3pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG2307L-7手册
DMG2307L-7概述
产品概述：DMG2307L-7 P沟道场效应管(MOSFET)
概要
DMG2307L-7 是一种高性能的 P 通道 MOSFET，理想用于需要高效电力控制的多种电子设备和电源管理系统。具有优异的电气特性，包括最大漏源电压 30V、连续漏极电流 2.5A，以及漏源导通电阻低至 90mΩ，为电路设计提供了极大的灵活性和高效率。
主要特性
泄漏电压 (Vdss): DMG2307L-7 具有最大漏源电压为 30V 的能力，使其适合多种低压应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下，该MOSFET支持2.5A的连续电流，从而能够应对严苛电流需求的电路设计。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为3V @ 250µA，确保在较低控制电压下能够启动，有利于简化驱动电路设计。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下，导通电阻最大为 90mΩ @ 2.5A，有助于降低开关损耗，提升整体效率。
驱动电压: 本产品支持4.5V至10V的驱动电压范围，适应多种控制信号的需求。
栅极电荷 (Qg): 其栅极电荷为最大 8.2nC @ 10V，这有助于减少驱动电路的功耗，特别是在高频率开关应用中。
电容特性: 最大输入电容 (Ciss) 达到 371.3pF @ 15V，优化了开关速度，降低了频率响应延迟。
功率耗散: 在环境温度为 25°C 时，器件最大功率耗散可达到 760mW，为可靠的热管理提供了保障。
工作温度: DMG2307L-7 可以在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，因此特别适合高温或低温环境的应用。
封装和安装
该产品采用 SOT-23 (TO-236-3, SC-59) 封装，具有紧凑的安装特性，适合于表面贴装技术 (SMT)，易于集成于高密度电子电路板中。
应用场景
由于其卓越的电性能，DMG2307L-7 可广泛应用于：
- 电源管理系统
- 直流-直流转换器
- LED 驱动电路
- 便携式电子设备
- 汽车电子
- 通信设备
总结
DMG2307L-7 是一种高效的 P 通道 MOSFET，结合了优良的电气性能和适应广泛应用需求的特性。其在可靠性，导通电阻，功率耗散及宽温特性方面的出色表现，使其成为电子设计师实现高效电力控制和管理的理想选择。依托于美台 DIODES 品牌的技术支持，用户可在设计中获得灵活性与信心，为电子产品的创新及其市场竞争力提供了扎实的基础。