安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 24 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A,5.1A | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1060pF @ 20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19.1nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.3W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
DMC4047LSD-13 是一款专为现代电子设备而设计的高性能场效应管(MOSFET),封装形式采用广泛应用的SO-8,具有出色的热管理与散热性能。该产品包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源转换、马达驱动及其他需要高开关性能的电路中。
DMC4047LSD-13的工作温度范围为-55°C至150°C,这使得它非常适合在极端环境中操作,例如航空、汽车及工业控制系统等应用场景。它的宽温范围意味着它能够在多种潜在的环境条件下保持高可靠性与稳定性。
双沟道设计: 该产品的双沟道配置(N沟道+P沟道)使得它在设计电路时提供了极大的灵活性,用户可以在同一封装中同时使用N和P类型的场效应管,降低了布局复杂性。
低导通电阻: 其低导通电阻意味着在导通过程中的功耗显著降低,这对于高效率电源和热管理非常重要。
优异的开关特性: 高输入电容和门电荷特性使该MOSFET能够在高频信号下高效工作,符合现代开关电源和数字电路的需求。
广泛的兼容性: 适用于逻辑电平门控制的设计,使其能够与各种控制电路良好兼容,实现高效驱动。
可靠性: 通过工业级的工作温度范围和强大的额定性能,DMC4047LSD-13提供了优异的长期稳定性和可靠性,满足各种严苛的应用需求。
DMC4047LSD-13广泛应用于以下领域:
DMC4047LSD-13 是一款具备优异性能和灵活性的小型MOSFET解决方案,适合多种高效电子设计与应用。其双沟道结构与高可靠性使其成为当前市场中电源管理和开关应用的理想选择。无论是在性能需求还是在稳定性方面,DMC4047LSD-13 都能够满足设计师的各类需求,推动现代电子产品向着更高效、更可靠的方向发展。