漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.8A |
栅源极阈值电压 | 1.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 3A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.8W | 类型 | N沟道和P沟道 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 37.6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1790pF @ 20V | 功率 - 最大值 | 1.8W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
基本信息
DMC4040SSD-13 是一款高性能的双向场效应晶体管(MOSFET)组件,集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。该器件的设计目标是为用户提供高效且可靠的开关控制,同时在较宽的工作电压和电流范围内维持较低的导通损耗。DMC4040SSD-13 的主要规格参数包括最大漏源电压(Vdss)为40V,连续漏极电流(Id)为6.8A,且可在温度高达150°C的环境中稳定运行。
电气特性
在电气性能方面,DMC4040SSD-13 的漏源导通电阻(Rds(on))最大值为25毫欧,测量条件为3A和10V的偏置电压,体现了其卓越的导电性能。同时,该器件的栅源极阈值电压(Vgs(th))为1.8V@250µA,表明该MOSFET非常适合逻辑电平驱动,可以直接通过低压控制信号进行有效开关。
在高频应用中,DMC4040SSD-13 的输入电容(Ciss)为1790pF(在20V下测量),而栅极电荷(Qg)的最大值为37.6nC(在10V下测量),这表明该器件在转换时具有较低的能量损耗,非常适合用于快开关和高频开关电源应用。
功率和热管理
功率方面,DMC4040SSD-13 的最大功率耗散为1.8W,适合于中等功率的应用。借助优秀的热管理设计,该器件能够在不同运行条件下保持稳定工作。其工作温度范围宽广,从-55°C 到 150°C,适用性强,能够满足严苛环境的需求,如汽车电子、工业控制和消费电子产品。
封装和安装
DMC4040SSD-13 采用8-SOIC(小型封装)封装形式,封装尺寸为0.154英寸(3.90mm宽),使其适合于高密度的表面贴装系统。SO-8封装除了具备良好的电气性能外,还方便自动化贴装,提高了生产效率。
应用场景
由于其卓越的电气特性及良好的热设计,DMC4040SSD-13 非常适合用于多种高性能应用,如:
开关电源:可以用于DC-DC转换器、线性稳压器等场合,实现高效能的电力转换。
电机驱动:在需要快速开关切换的电机控制系统中,该器件可确保高效率与稳定性。
汽车电子:广泛应用于汽车照明、动力驱动和电池管理系统中,提升能效并降低热损耗。
智能家居和消费电子:适合用于开关设备,如传感器、执行器等,实现智能控制功能。
总结
DMC4040SSD-13 是一款功能全面、性能优越的N沟道和P沟道场效应晶体管,具备高电流承载能力、低导通阻抗、宽温工作范围以及小型封装特点,适用于广泛的电子应用领域。其高效能和可靠性,使之成为众多电子设计师和工程师的理想选择,能够满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。