安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA,3.2A | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 26.2pF @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.7nC @ 8V | 漏源电压(Vdss) | 25V,30V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
产品名称:DMC25D0UVT-7
品牌:DIODES(美台)
封装类型:TSOT-23-6 (TSOT26)
类型:N沟道与P沟道场效应管 (MOSFET)
DMC25D0UVT-7是一款高性能的表面贴装型场效应管,专门设计用于各种低功耗电子设备的功率开关及信号放大应用。该产品具备良好的导通性能和低导通电阻,加上宽广的工作温度范围,使其在各种应用场景中均表现出色。
DMC25D0UVT-7具备广泛的应用前景。其主要应用领域包括:
DMC25D0UVT-7在行业中具备以下竞争优势:
总之,DMC25D0UVT-7是一款专为现代电子应用设计的高效率N沟道与P沟道场效应管(MOSFET)。其优秀的导通性能、轻量级封装及广泛的应用潜力,使其成为电源管理、开关调节等领域中理想的选择。凭借DIODES品牌的质量保证,DMC25D0UVT-7无疑将为您的产品增添强大的可靠性和性能。