DMC25D0UVT-7 产品实物图片
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DMC25D0UVT-7

商品编码: BM0000281071
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.021g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 25V;30V 400mA;3.2A 1个N沟道+1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.14
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.14
--
200+
¥0.881
--
1500+
¥0.767
--
3000+
¥0.667
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC25D0UVT-7参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 400mA,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA,3.2AFET 类型N 和 P 沟道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)26.2pF @ 10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 8V漏源电压(Vdss)25V,30V
FET 功能标准功率 - 最大值1.2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA

DMC25D0UVT-7手册

DMC25D0UVT-7概述

产品概述:DMC25D0UVT-7

产品名称:DMC25D0UVT-7
品牌:DIODES(美台)
封装类型:TSOT-23-6 (TSOT26)
类型:N沟道与P沟道场效应管 (MOSFET)

1. 产品介绍

DMC25D0UVT-7是一款高性能的表面贴装型场效应管,专门设计用于各种低功耗电子设备的功率开关及信号放大应用。该产品具备良好的导通性能和低导通电阻,加上宽广的工作温度范围,使其在各种应用场景中均表现出色。

2. 主要技术参数

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),适合现代电子设备的紧凑设计。
  • 不同Id、Vgs下的最大导通电阻:4欧姆,额定400mA电流和4.5V电压下表现突出,确保了有效的电力传输和热管理。
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C的环境下,该产品的持续漏极电流可达400mA,而在瞬态条件下,能承受高达3.2A的电流,满足高负载需求。
  • 栅源电压 (Vgs):生成和控制FET行为的能力,以实现更高的开关性能和效率。
  • 工作环境温度范围:-55°C至150°C,显示出其在极端环境下的可靠性,非常适合航空航天、汽车和工业应用。
  • 漏源电压 (Vdss):最大25V和30V的标称能力,适合各类低电压应用,保障了在安全电压范围内的稳定工作。
  • 输入电容 (Ciss):在10V时最大为26.2pF,确保快速的开关速度,适合高频应用。
  • 栅极电荷 (Qg):最大0.7nC(在8V时),较低的栅电荷值有助于提高开关时的效率,降低功耗。

3. 应用场景

DMC25D0UVT-7具备广泛的应用前景。其主要应用领域包括:

  • 电源管理:适用于DC-DC转换器和电池管理系统,有效提升系统效率。
  • 开关调节:可用于LED驱动电路、马达控制及其他电气开关应用,满足快速开关切换需求。
  • 通信设备:在小型移动设备中,DMC25D0UVT-7可作为信号控制组件,以支持高速数据传输。
  • 汽车电子:此款MOSFET能够应对汽车制造中的严苛环境,广泛应用于车载电子控制模块。

4. 竞争优势

DMC25D0UVT-7在行业中具备以下竞争优势:

  • 性能稳定:宽广的工作温度范围及高封装密度,使其适应各种复杂的工作环境。
  • 低功耗设计:低导通电阻和小栅电荷值,降低了在实现高电流开关操作时的能量损耗。
  • 高负载承受能力:结合其400mA的连续漏极电流和3.2A的瞬态承受能力,提供了高效的信号处理能力。

5. 结论

总之,DMC25D0UVT-7是一款专为现代电子应用设计的高效率N沟道与P沟道场效应管(MOSFET)。其优秀的导通性能、轻量级封装及广泛的应用潜力,使其成为电源管理、开关调节等领域中理想的选择。凭借DIODES品牌的质量保证,DMC25D0UVT-7无疑将为您的产品增添强大的可靠性和性能。