IRS21867STRPBF
IRS21867STRPBF参数
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A | 输入类型 | CMOS，TTL |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V | 上升/下降时间（典型值） | 22ns，18ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IRS21867STRPBF手册
IRS21867STRPBF概述
IRS21867STRPBF 产品概述
一、产品背景
IRS21867STRPBF 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能栅极驱动集成电路（IC），专用于驱动绝缘栅双极晶体管（IGBT）和 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这一款驱动IC采用了高效的半桥驱动配置，能够在工业和消费电子应用中发挥出色的性能。
二、主要特点
驱动配置和通道类型： IRS21867STRPBF 具备半桥驱动结构，能够有效驱动一对互补的功率开关元件。这种配置广泛应用于电机驱动、电源转换及其他需要高功率控制的场合。产品的通道类型为独立式，支持双通道输出，便于实现复杂的控制策略。
电力性能： 该IC的高压侧电压最大可达600V，适用于多种高压应用场合。电压供应范围为10V ~ 20V，确保了其在电源供应不稳定的环境下的可靠性。此外，其电流峰值输出能力为4A（灌入与拉出），能够满足较大负载的驱动需求。
输入兼容性： IRS21867STRPBF 具有CMOS和TTL输入类型，这使得其可以兼容多种数字控制信号，简化与微控制器或其他数字电路的连接和集成。
高效率与快速驱动： 该产品具有较快的上升时间和下降时间，分别为22ns和18ns。这一性能提高了驱动效率，减少了开关损耗，使得整体系统的热管理需求降低，增加了系统的稳定性和使用寿命。
工作温度和封装： IRS21867STRPBF 的工作温度范围广泛，能够在-40°C到150°C的环境下稳定工作。这使其能够适应苛刻的工业环境。同时，其采用了8-SOIC（Standard Small Outline Integrated Circuit）封装，利于表面贴装，适合大规模生产和自动化组装。
三、应用领域
IRS21867STRPBF 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 电机驱动：广泛应用于直流电动机、无刷电机及步进电机的驱动控制，提供稳定的开关控制。
- 电源转换：可用作 DC-DC 转换器和 UPS 系统中的功率开关控制，提升效率。
- 可再生能源：在太阳能逆变器及风能发电机中使用，能够高效地转换和控制电能。
- 工业自动化：在伺服系统、传动系统等场合，IRS21867STRPBF 提供必要的驱动支持。
四、总结
作为英飞凌推出的一款高性能栅极驱动IC，IRS21867STRPBF 以其出色的电力性能、快速的响应时间及广泛的工作温度范围，满足了多种应用场景的需求。其独立双通道设计和兼容的输入类型，简化了与其他电子系统的接口，提供了更大的设计灵活性。这款驱动IC不仅适用于高压电力应用，也必将推动工业自动化、新能源等领域的技术进步和产品创新。对于需要稳定、可靠、高效的栅极驱动解决方案的工程师而言，IRS21867STRPBF 无疑是一个值得考虑的优秀选择。