IRLML0030TRPBF
IRLML0030TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.3A |
| 栅源极阈值电压 | 2.3V @ 25uA | 漏源导通电阻 | 27mΩ @ 5.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 382pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML0030TRPBF手册
IRLML0030TRPBF概述
产品概述：IRLML0030TRPBF N沟道MOSFET
一、产品简介
IRLML0030TRPBF是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用于各种开关和放大应用。这款MOSFET具有出色的电气特性，适用于低电压、高电流的场合，广泛应用于电子设备、电源管理以及电机驱动系统等领域。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）：30V
IRLML0030TRPBF能够承受高达30V的漏极到源极电压，适合低压应用环境，提供了灵活的选择空间。连续漏极电流（Id）：5.3A（25°C）
在标准工作温度下，IRLML0030TRPBF可承载高达5.3A的持续漏极电流，确保在负载条件下提供稳定的性能。栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.3V @ 25µA
颗粒的栅极开关特性在2.3V阈值电压下表现良好，使其能够在较低电压下快速开启，便于与微控制器等低压驱动组件集成。导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ 5.2A, 10V
卓越的导通电阻确保MOSFET在开关状态下的功耗降低，提高系统能效。最大功率耗散：1.3W（Ta=25°C）
在25°C环境温度下，IRLML0030TRPBF能够安全地耗散最多1.3W的功率，适合高效的电源设计。工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
该MOSFET具有广泛的工作温度范围，适合严酷工况下的应用。封装：SOT-23（Micro3）
IRLML0030TRPBF采用小型SOT-23封装，表面贴装设计使得其在空间有限的电路中轻松集成。
三、性能优势
高效能：低导通电阻和高电流能力，使得IRLML0030TRPBF在高效开关和功率放大应用中表现出色，极大地降低了能量损耗。
良好的热管理特性：MOSFET的功率耗散特性使其在持续运行中能保持较低的热量产生，提升了系统的整体可靠性。
多种应用兼容：广泛的工作温度范围和较高的电压、电流能力，使得IRLML0030TRPBF适用于各种电子设备，如电源管理、LED驱动、电机控制等。
快速开关性能：低栅极电荷（Qg = 2.6nC @ 4.5V）提供快速的开关响应，使其适合于高频应用。
四、应用场景
电源供应：在开关电源（SMPS）中，IRLML0030TRPBF可以作为开关元件，负责高效率的能量转换。
LED驱动：在LED驱动电路中，这款MOSFET可用于控制电流流向，达到高效亮化效果。
电机控制：可用于低压直流电机的控制和驱动，提高电机响应速度及能效。
消费电子：在各类消费电子产品（如平板电脑及手机）中，用于电源管理与信号切换，实现更为高效的电源利用率。
五、总结
IRLML0030TRPBF N沟道MOSFET是您在低电压、高电流开关应用中理想的选择。凭借其出色的电气性能、可靠性和多种应用潜力，该MOSFET适用于现代电子设计中的各种需求。英飞凌的先进技术和高品质标准确保了该元件在提升整体系统效率和可靠性方面的能力，帮助设计师在其项目中达到最佳表现。