IRLB8314PBF
IRLB8314PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 130A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 2.4mΩ @ 68A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 171A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 68A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5050pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRLB8314PBF手册
IRLB8314PBF概述
IRLB8314PBF 产品概述
基本信息
IRLB8314PBF 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具有极其出色的电流承载能力和低导通电阻，特别适用于高效率的开关电源、DC-DC 转换器及其他需要高速度、低功耗的转换应用。此器件由知名制造商英飞凌（Infineon）推出，其卓越的性能和可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。
产品特性
漏源电压（Vdss）： IRLB8314PBF 的漏源电压为 30V，能够在多种应用中提供稳定的性能。在设计中，需要考虑到该电压是 MOSFET 的耐压等级，以确保其在工作中的安全稳定性。
连续漏极电流（Id）： 该器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流为 171A（Tc），使其适合需要大电流的应用。其高电流通过能力确保了能有效地满足苛刻的操作条件，而不易出现过热现象。
导通电阻（Rds(on））： 其在 10V 驱动电压下的导通电阻仅为 2.4mΩ（@ 68A），这保证了在电流通过时会有极低的功率损耗，从而提高能源利用率并降低整体散热需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件的阈值电压为 2.2V @ 100µA，有助于快速开关和稳定的控制。这项参数的设计考虑提高了驱动效率，使驱动电压降低，适应了更广泛的应用场合。
栅极电荷（Qg）： 在 4.5V 下的栅极电荷最大值为 60nC，这一低值使得器件可以实现更快的开关速度，有效减少开关损耗和提高整体效率。
输入电容（Ciss）： 在 15V 时的输入电容为 5050pF，适合高频开关应用，能够减少信号延迟，并提高系统的响应速度。
功率耗散： 该器件的最大功率耗散在 25°C 时为 125W（Tc），展现出良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。
工作温度范围： IRLB8314PBF 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C（TJ），使其适合在苛刻的环境条件下使用，如工业控制、汽车电子等领域。
封装和安装： 采用 TO-220-3 封装，方便通孔安装。这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合多种 PCB 板设计。
应用领域
IRLB8314PBF 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电动机驱动、逆变器、及 LED 驱动电源等多种电子电路中。其卓越的电流处理能力及低导通电阻特性使其在这些系统中有效降低了能量损耗，提高了系统整合度及工作效率。
总结
IRLB8314PBF 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET 解决方案，适合高效率敏感应用。凭借其低导通电阻和很高的电流承载能力，加之广泛的工作温度范围和出色的散热性能，使其在当今高性能电子产品设计中具有无与伦比的优势。工程师在选择功率 MOSFET 时，应考虑该器件的优良特性与广泛的应用场景，以确保设计的高效性与可靠性。