IRFU214PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；25W 250V 2.2A 1个N沟道 TO-251-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.08按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.08
--
100+
￥1.66
--
750+
￥1.48
--
1500+
￥1.4
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU214PBF参数
| 封装/外壳 | TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 250V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 250V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 1.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-251AA |
IRFU214PBF手册
IRFU214PBF概述
产品概述：IRFU214PBF
IRFU214PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO-251AA封装，特别适用于电源管理与电子控制应用。该器件由知名半导体制造商VISHAY（威世）生产，凭借其卓越的电气特性和广泛的工作参数，IRFU214PBF在现代电子设计中得到了广泛的应用和认可。
一、基本技术特性
封装与引脚排列：IRFU214PBF4采用TO-251-3短引线封装，提供良好的热管理和电气性能，适合通孔安装（THT）。其IPak封装设计支持更高的功率处理能力，满足不同工业应用的需求。
电气参数：
- 漏源极电压（Vdss）：250V，表示该MOSFET能够承受的最大漏极至源极电压，有效支持高电压的应用场合。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的条件下可持续提供2.2A的电流，极高的电流处理能力使其适用于各种高功率应用。
- 栅源极电压（Vgss）：±20V，这一参数保证了栅极的控制信号具有足够的范围，使MOSFET能够在高效驱动条件下稳定工作。
导通电阻和开关特性：
- 设计上，该MOSFET的最大导通电阻（Rds On）为2Ω，经过有效的栅极驱动（10V）能在1.3A电流时维持较低的功耗。
- 其门极电荷（Qg）为8.2nC，表明该MOSFET在开关操作中具有较小的电荷损耗，这使得它在高频开关电路中尤其高效。
温度与功率管理：
- IRFU214PBF能够在-55°C至150°C的环境中安全工作，适应严苛的工作条件。
- 最大功率耗散为2.5W（环境温度下）和25W（在适当的结温下），意指其采用良好的散热设计，能够适应高热流应用。
电容特性：
- 在25V的条件下，其输入电容（Ciss）为140pF，表明该MOSFET在输入特性上具备较高的响应速度，有助于提升电路的整体性能。
二、应用领域
IRFU214PBF MOSFET广泛应用于各种电子设备中，包括：
- 电源转换器：其高压和高流特性使得该器件适用于AC-DC转换器和DC-DC变换器等电源管理电路。
- 马达控制：在马达驱动应用中，能够承担高电流负载，同时具备有效的开关能力。
- 开关电路：可用于高效的开关电路设计，尤其是在要求快速开关的高频应用领域。
- LED驱动：其优良的导通特性和电流处理能力也使其成为LED驱动电路方案中的理想选择。
三、总结
IRFU214PBF是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET，凭借其高电压和电流特性、优异的热管理能力以及出色的开关性能，使得它成为了现代电源管理和驱动电路设计中不可或缺的元件之一。随着电子技术的不断进步和市场对高效率、高可靠性的电子产品需求的增加，IRFU214PBF无疑是一个理想的选择。无论是在工业控制、消费电子，还是在汽车电子领域，该MOSFET都能提供卓越的表现，助力电子设计的进一步创新和发展。