IRFS4410ZTRLPBF
IRFS4410ZTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 97A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 58A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4820pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS4410ZTRLPBF手册
IRFS4410ZTRLPBF概述
IRFS4410ZTRLPBF 产品概述
概述
IRFS4410ZTRLPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为需要高功率和高效率的应用而设计，其最大的漏源电压（Vdss）可达 100V，能够承受高达 97A 的连续漏极电流（Id）。这款 MOSFET 采用表面贴装型封装（TO-263-3），为电路板的整体设计提供了空间优化和散热性能的改善。
主要特性
高电压和高电流能力：该器件能够承受高达 100V 的漏源电压，最大连续漏极电流为 97A，适合用于电源转换、电动机驱动等场合，其优良的电气规格满足多种苛刻的环境要求。
低导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，IRFS4410ZTRLPBF 的最大导通电阻（Rds On）仅为 9 毫欧（在 58A 电流条件下），这意味着在导通状态下的能量损耗极低，能够有效提升系统的能效并降低热量产生。
低栅极电荷：在 10V 驱动下，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）最大值为 120nC，这有助于提高开关速度，特别是在高频率应用中，能够显著降低开关损耗。
宽工作温度范围：IRFS4410ZTRLPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其能够可靠地工作于严苛环境，这一特点使得其在汽车及工业应用中得到广泛应用。
良好的热特性：该器件的最大功率耗散可达到 230W（以 Tc 为基准），这为使用在高功率的电路设计中提供了极大的灵活性和安全性。
高隔离输入电容：输入电容（Ciss）最大值为 4820pF，适合于需要高开关频率和快速响应速度的应用。
应用领域
IRFS4410ZTRLPBF 适合的应用场合包括但不限于：
- 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源等，能够在减少能量损失的同时提高转换效率。
- 电动机驱动：对于任何电动机控制和驱动的场合，其高电流能力和低导通电阻使其成为理想选择。
- 电力电子：如逆变器、UPS（不间断电源）系统等，进一步增强了其在新能源和工业自动化领域的应用。
封装特性
该元件采用 D2PAK（TO-263-3）封装，具有良好的散热性能和空间优势，易于设计和集成到各种电路板中。表面贴装的安装方式使得该器件在组装过程中具有更高的灵活性及效率。
结论
综上所述，IRFS4410ZTRLPBF是一款具有优越性能的 N 通道 MOSFET，凭借其高承载电压和电流、低导通电阻、宽工作温度范围及适合于高频应用的特性，使其成为许多高要求应用场合的理想选择。无论是电源管理、电动机驱动还是电力电子设备，该器件都能够提供可靠的解决方案，满足现代电子产品对效率、性能和可靠性的高标准需求。